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闪存正成为实现产品创新和差异化的核心能力
无论是通过互联网向智能终端传递信息,或是通过机顶盒将信息显示到电视机上,访问即时信息和实现不同设备间无缝衔接日益成为一种强大需求。其中,闪存就是一个帮助实现即时访问功能非常关键,但却最常被人忽略的要素。
标签NOR
2011-10-09
今年内存需求将步入周期下行阶段
目前存储器行业的供应现状及未来供求趋势如何?市场需求和挑战来自哪里?最新解决方案和产能是否能够满足上述需求?本专题分析文章将帮助您解决以上疑问。
2011-01-21
十月下旬DDR3 2GB合约价将跌破30美元
PC
标签DRAM
2010-10-20
Agiga以当前最高密度的非易失性DDR3解决方案扩充产品线
赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布,推出业界最高存储密度的DDR3解决方案,成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM?非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度,从而为系统架构师和设计者提供了充分的灵活性,可以专为某些特定应用需求量身定制非易失性存储器。
标签NAND
2010-08-19
Everspin将MRAM容量提升到16Mb,阴霾开始笼罩SRAM
随着MRAM供应商Everspin科技公司最新推出高容量16Mb产品,存储器市场竞争格局又发生了新的变化,它将进一步挤压原有SRAM和EEPROM市场空间。并且下一代64Mb产品一旦问世,将极有可能取代SRAM。
2010-06-25
非易失性半导体存储器的相变机制
经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究,现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升,尽管如此,现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制,相变存储器(PCM)就是其中一个最被业界看好的非易失性存储器,具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。
标签其它
2009-12-21
专门为低成本,低功耗和高性能而设计的中档FPGA成为整个市场和应用的主流趋势
莱迪思的可编程逻辑产品,包括CPLD、FPGA和针对电源及时钟管理的混合信号产品,已广泛地使用于不同的市场,包括通讯、视频监控和消费产品,这里只提几个。我们的产品广泛应用于这些市场是令人鼓舞的。
2009-12-17
AGIGA采用业界最高密度非易失性RAM系统
赛普拉斯半导体公司的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度、最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统(NVS)的最新CAPRI系列可提供介于256 megabytes(2048 megabits)和2 gigabytes (16 gigabits)之间的存储密度。
标签DRAM
2009-10-28
ST推出512-Kbit串口EEPROM M95512/M24512
意法半导体(ST)运用先进的非易失性存储技术,推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2×3×0.6mm 8-引脚微型引线框架封装(MLP)的512-Kbit器件,再度写下业界第一。
标签EEPROM
2009-07-08
针对可持续性优势应用开发解决方案——莱迪思公司总裁兼首席执行官Bruno Guilmart访谈
市场中大多数公司并不需要那些用最先进工艺制造、拥有运行速度最快的SerDes的超高密度FPGA,我们相信,我们的中档LatticeECP2M FPGA以及后续产品LatticeECP3能够为广大用户提供了他们所需要的高级功能(深度存储器、快速SerDes和强大的DSP功能),这样他们就不用为不需要的高端功能承担额外的成本和功耗。
标签FPGA
2009-06-24
Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20
Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20采用先进的130纳米CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口(SPI)。
标签其它
2008-04-17
英特尔与意法半导体推出业内首款相变存储器原型
英特尔(Intel)和意法(ST)半导体宣布开始向客户提供采用创新的相变存储器(PCM)技术制造的未来存储器的原型样片,这些原型样片是市场上首批交付给客户评测的相变存储器的功能芯片,使相变存储器技术向商业化目标又迈进了一步。
2008-02-22
Ramtron推出2兆位并行存储器产品FM21L16
Ramtron推出2兆位并行存储器产品,进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM,具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。
标签SRAM
2007-10-15
Ramtron针对亚太区调整产品战略 FRAM存储器渗透汽车市场
非易失性铁电存储器(FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前发布其亚太区的半导体业务扩展战略,以及持续发展的最新部署。与此同时,Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM存储器,成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。
2007-03-29
IP供应商Virage Logic借IIC-2007宣布建立中国桥头堡
业界知名的Silicon Aware IP公司Virage Logic在IIC-2007展览会上宣布已指定上海至益电子技术有限公司(Hyperform Technologies)和微通益友电子科技有限公司(OnePass Solutions)为其第一批中国代理商。初期的销售和支持服务对象将主要侧重于北京、深圳和上海等地的消费电子类和政府资助的大型公司。
标签IP核
2007-03-27
非易失性Spartan-3AN:开创更安全和“先尝后买”的商业模式
在成功将Spartan家族面向不同的功能领域细分,实现更专注和降低成本的措施后,可编程逻辑器件厂商赛灵思近日借“第十二届国际集成电路展”之际又推出了针对非易失性FPGA的产品Spartan 3AN。与之前针对密集逻辑优化的Spartan 3E和针对高密度I/O 优化的Spartan 3A不同,此次推出FPGA需要外挂的闪存集成到一个单一的封装中,使得客户能更安全地防止克隆和重构,同时进一步推进了之前在Spartan 3A中已开始试用的“先试用后购买”的IP业务模式。
标签FPGA
2007-03-09
闪存将终结?相变内存在速度、尺寸与材料上占优
闪存的发展如日中天,但专家预计在不久的将来闪存会遭遇严重的尺寸缩小限制。取代闪存的下一代存储器技术是什么?来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家近日联合发布的最新新兴存储技术成果-相变内存可能会是我们的答案。
标签其它
2006-12-15
飞思卡尔抢跑MRAM市场,大规模商用为时尚早
飞思卡尔率先推出首款MRAM商用芯片,在这个市场抢跑领先于其他竞争对手。虽然指出离大规模采用还有不少障碍,市场调研公司iSuppli仍然相信此款芯片的发布在很大程度上将推进MRAM技术的发展。
标签其它
2006-07-26
NOR闪存厂商进攻NAND市场,并购与联姻改写市场大格局
在苹果iPod和闪存卡热销的推动下,2005年NAND闪存市场实现了高速增长。据市场研究机构iSuppli的数据显示,2005年NAND闪存市场比2004年增长了6?%,达到109亿美元。iSuppli预计2006年NAND闪存市场还将增长55%,达到168亿美元。3C终端的融合促使NAND、NOR和DRAM应用出现融合,通过扩展产品线或者通过结盟为客户提供全面的存储解决方案,是未来内存市场的发展趋势,而这必将导致内存产业出现整合。
标签NAND
2006-04-01
NAND技术与市场的不断进步将重塑整个闪存市场格局
9月,三星电子宣布首次在业内采用50纳米工艺开发出了16Gb容量的NAND闪存。三星电子半导体部的总裁兼CEO黄昌圭对此表示,半导体产业正在进入闪存时代。
标签NAND
2005-11-01
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