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中国资本+法国技术 冷门工艺FD-SOI的春天来了?
中国资本入股法国半导体材料开发制造商Soitec这一事实证明,活在FinFET阴影下的冷门工艺FD-SOI的最新进展正在中国的舞台上悄悄上演……
2016-04-08
对话格罗方德 CEO:为什么现在拥抱FD-SOI?
Globalfoundries公司最新消息已证实,该公司本身不仅支持在IC制造中采用FD-SOI(全耗尽绝缘硅)工艺,而且极其重视该技术,希望拥有独门工艺用于满足多种低功耗应用的需求。公司CEO Jha解释了为什么Globalfoundries接受FD-SOI,以及为什么是现在……
2015-08-07
内参分享:从数据解读中国电子信息产业动态
2015年1-3月,电子信息制造业运行平稳,内需市场比重稳步提升,外资企业销售产值增速回弹,家用视听行业持续回暖,经济效益持续向好。
2015-05-21
如何抗衡Foundry寡头,释放半导体供应链?
在今年初于法国Grenoble举行的欧洲3D TSV高峰会上,来自半导体产业的业界专家们似乎都认同这样的看法:在包括消费市场等许多领域,采用2.5D整合(透过利用中介层)仍将比采用真正的3D垂直整合更具成本竞争力。而这可能对于电子制造产业带来重大变化……
标签CPU
2015-03-10
三星未曾离开:深耕半导体上游产业链
三星电子至今已成为全球动态随机存取内存(DRAM) 与NAND市场占有率最高的业者。另外,三星电子也积极将其半导体事业扩展至逻辑芯片制造领域,以抢食比内存市场更大的芯片商机。从三星电子近期的产线布局动向可发现,三星电子……
标签NAND
2014-11-12
2014紧缺元器件采购策略
受各种因素影响,紧缺元器件的采购需求总是常年存在。工厂停工、元器件停产、市场需求突然暴涨……面对种种不可控因素,及时找到解决之道,解决燃眉之急,是所有采购制造商亟需考虑的事情。
2014-08-06
未来十年晶体管成本降速趋缓,半导体价格或提高
摩尔定律将在未来的十年持续发展,但每单位晶体管成本下跌的速度将随之减缓,无法再像过去一样快速降低了。根据新思科技董事长兼首席执行官Aart de Geus表示,芯片设计越来越复杂,逐渐推迟向更大晶圆的过渡,但也为其他替代技术开启了大门。
2014-04-01
可充电固态电池可望加速能量采集市场
体积更小、便于携带、更多互连的电子设备日益增多,不断变化的市场驱动着对新兴能源存储的需求。超低功耗处理器、无处不在的无线智能终端及传感器、元器件的集成和小型化、环境友好以及能源可再生——业界向低功耗芯片的转移,需要现有解决方案无法满足的全新低成本、集成化能源储存选项……
标签模组
2013-12-27
FD SOI与FinFET的先进节点之战
FD SOI(全耗尽型SOI)最近重新进入业界关注的焦点。Intel、TSMC等企业已决定在22、14nm节点走向FinFET之路;而作为FD SOI技术的主要支持者,如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等,认为在先进节点上FD SOI将更具备竞争优势。同时,FD SOI在低功耗、高性能、平面工艺可延续性方面的优势是……
2013-11-01
移动计算市场电源管理的未来发展
消费者希望在智能手机、平板电脑上能够浏览更多的媒体内容,且电池续航时间更长久,故电源管理正迅速成为这个时代的焦点议题,高效的电源管理成为便携式设备极大的设计挑战。
2013-10-08
电源管理IC临近爆发,详解四大市场趋势
随着手机、平板电脑等便携式设备的迅速发展,电源管理技术正呈现四大发展趋势,其中晶圆制造能力将成为未来这一领域Fabless竞争的重要筹码。
2013-05-02
Soitec用平面FD技术架起通向14nm的桥梁
Soitec的全耗尽(FD)晶圆弥合了28nm 到 14nm 的鸿沟,进而加速与简化了行业向3D架构前进的步伐。
2012-07-10
英特尔赢得三栅极晶体管竞赛短程胜利,独缺移动处理器
英特尔于本周三(5月4日)推出了22纳米制程,基本符合此前的外界预期,但还是有出乎意料之处。英特尔的22纳米制程基于其立体晶体管设计,即三栅极结构。但英特尔并未宣布22纳米移动处理器,而这种处理器可能帮助其抵挡来自ARM阵营的竞争威胁。
标签MCU
2011-05-06
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