格罗方德推出业内首个22纳米FD-SOI工艺平台

上网时间: 2015年07月14日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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2015年7月14日消息,格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX?”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。

虽然某些设备对三维FinFET晶体管的终极性能有要求,但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工艺,为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压,该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%,掩膜少10%,而且其浸没式光刻层比foundry FinFET工艺少近50%,为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。

格罗方德推出业内首个22纳米FD-SOI工艺平台_《国际电子商情》_1

格罗方德半导体首席执行官Sanjay Jha表示:“22FDX平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能:系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外,针对联网应用中的射频和模拟集成,该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”

22FDX采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的半导体晶圆厂的持续投资之上,掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿为22FDX平台投入了2.5亿美元,用于技术研发和启动22FDX的生产,从而将公司自2009年以来对Fab 1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。

格罗方德半导体正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作,以便为22FDX建设一个强大的生态系统,缩短产品上市时间,并为其制定一个全面的路线图。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件(PDK),并将于2016下半年启动风险生产。

本文下一页:芯片供应商力挺FD-SOI工艺

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