NAND FLASH技术将成DRAM市场制胜关键

上网时间: 2013年06月04日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? DRAM市场?

全球市场研究机构TrendForce表示,标准型存储器经过两年价格崩跌,产值大减的负面循环之后,2013年首先出现价格反转契机。今年以来主流产品4GB模组合约价上扬近六成,带动服务器与移动存储器平均销售单价止跌反弹,即使在位元供给年成长有限的情况下,今年度产值年成长可望大幅增长30%。NAND Flash部分也随着移动设备销售增长以及产业结构性调整,市场供需状况已大幅改善,2013年整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收敛的利多下,较 2012大幅成长27.2%来到美金257亿元,需求位元成长率可达到48.8%。

DRAM三足鼎立,快闪存储器技术成胜出关键

2013年的DRAM产业正进行大幅度的结构性调整,供需以及销售价格改善牵动产值缓慢复苏。除了企业之间进行整并与重整外,因应云端以及移动手持产品领域需求快速增长,DRAM供应商经营模式转向其他更高毛利的产品别,企业获利能力也因产品多角化(diversification)的程度而出现更大的差异。TrendForce表示,DRAM供应商无法仰赖个人电脑(PC)等消费性产品,因此针对需求位元成长的预测也逐年趋缓,因此资本支出也将转趋保守,除了制程转进的相关投资外,并未有建置新产能的计划。

展望2014年,由于厂商制程转进已经濒临物理极限,预计2014年2X纳米将成为主流制程,后续获利能力将取决于高附加价值的产品(LPDDR4 or DDR4)以及下一个世代的堆迭技术(3D-IC, TSV),单纯供给位元成长已退居为次要的获利指标。由于制程持续微缩的难度大幅增高,在EUV (Extreme ultraviolet lithography )机台尚未齐备的前提下,DRAM产业未来数年的展望将可望延续2013年度缓慢复苏的态势,过往价格端大起大落的巨幅波动将成为历史。

TrendForce进一步表示,2014年三星半导体挟其高度垂直整合的企业结构囊括DRAM一半市占的态势将维持不变,移动存储器事业将更受惠于其自有品牌的智能手机出货而可望进一步提升营业利益(Operating Margin)。美商美光半导体与日商尔必达正式合并以后,不论是产能(Capacity)或是产品组合都能够与位居第二的韩系厂SK Hynix一较高下,除了固有标准型存储器以外,随着隶属移动存储器产品类别的eMCP(emmc multi-chip package)日趋普及,快闪存储器(NAND FLASH)技术将成为竞争胜出的关键。

NAND FLASH技术将成DRAM市场制胜关键_《国际电子商情》_1

第二页:NAND Flash 稳健成长,eMMC扮演攀升引擎

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  • DRAM是什么意思
  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

  • 什么是NAND Flash
  • NAND Flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

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