宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产

上网时间: 2010年10月07日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:宏力半导体? 0.13微米嵌入式闪存?

国际电子商情讯 上海宏力半导体制造有限公司近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。

宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米,是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸,其卓越的性能还能支持最大到16Mbit的SoC设计,在业内十分具有竞争力。

这一最小的单元同时还满足了编程效率高和无过度擦除的需求,能让系统设计师设计出更具竞争优势的嵌入式闪存单元。此新技术还具有极高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据可保留100年。

宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程为客户提供了两种解决方案。Dual-gate特别适合SIM card的客户,由于其光罩层数少,模块尺寸小等优势,在市场上已经成为性价比最高的解决方案。而Triple-gate适用于通用和低压产品,应用范围广泛,包括MCU、U盘、智能卡以及汽车电子市场。

宏力半导体经过大量生产验证的0.13微米嵌入式闪存制程与其0.13微米通用和低压逻辑制程完全匹配,因此易于迁移。对客户而言,良好的兼容特性保证了现有的标准单元库和IP能够与新制程无缝衔接。

“自2008年起,宏力半导体已经生产了成千上万片0.18微米的嵌入式闪存晶圆,极小的单元尺寸和极少的光罩数,在业内极具优势,也让宏力半导体宏力迅速在智能卡市场占据了份额。与此同时,我们还始终保持着95%以上的良率,因而赢得了客户对我们的信赖。” 宏力半导体销售市场服务单位资深副总卫彼得博士表示,“宏力半导体将于今年年底完成基于0.13微米节点的单元缩小的研发工作,这个全新且极具竞争力的嵌入式闪存制程将针对高容量的产品应用。”

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  • 上海宏力半导体
  • 上海宏力半导体制造有限公司是一家从事半导体制造的专业代工企业,坐落于上海市浦东张江高科技园区内,占地面积24万平方米。宏力于2003年9月23日正式开业,一期项目总投资为16.3亿美元,目前已建成两座12英寸规格的厂房,其中一厂目前月生产能力可达三万片八英寸硅片。

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