赛普拉斯推出65纳米SRAM器件

上网时间: 2009年05月04日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:赛普拉斯? SRAM? DDR?

赛普拉斯日前宣布,该公司在业界率先推出采用 65 纳米线宽的 Quad Data Rate (QDR) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件样品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器采用了赛普拉斯合作伙伴制造商 UMC 开发的工艺技术。新型 SRAM 实现了目前市场上最快的 550 MHz时钟速度,在 36 位 I/O 宽度的 QDRII+ 器件中可实现高达 80 Gbps 的总数据传输速度,而功耗仅为 90 纳米 SRAM 的一半。这种新型存储器非常适用于因特网核心与边缘路由器、固定与模块化以太网交换机、3G 基站和安全路由器等网络应用,而且还能提高医疗影像和军用信号处理系统的性能。上述产品可与 90 纳米 SRAM 引脚兼容,从而帮助网络客户提高性能、增加端口密度,而且还不必改变原有的板卡布局。

相对于 90 纳米的上一代产品,65 纳米的 QDR 和 DDR SRAM 能将输入输出电容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片内终结电阻器 (ODT),消除了外部端需接电阻的要求,因而可提高信号的完整性,降低系统成本,节约板上空间。65 纳米产品采用的是锁相环路 (PLL) 而非延迟锁相环 (DLL) 技术,其可使数据有效窗口扩展 35%,以帮助客户缩短开发时间、节约开发成本。

供货情况

65 纳米的 QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ SRAM 目前已经推出样品,预计将于 2009 年第三季度实现量产。上述每款产品均提供不同 I/O 宽度(x18 或 x36)、突发长度(B4 或 B2)和延迟(1.5、2.0 或 2.5)的多种配置标准。65 纳米的 72-Mbit SRAM 采用标准的 165 引脚微间距球栅阵列 (FBGA) 封装,为便于技术移植,其可与现有的 90纳米 QDR和 DDR 器件引脚兼容。

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  • SRAM(静态随机存取存储器)是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静态存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

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  • DDR是Double Date Rate的简称,中文意思是双数据速度内存,它是SDRAM的演进,当然也是高速的内存。由于DDR在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输,所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。

  • 赛普拉斯半导体公司
  • 赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)于1982年成立,总部设在加利福尼亚州圣何塞。赛普拉斯为消费类电子、计算、数据通信、汽车、工业和太阳能等系统核心部分提供高性能的解决方案。赛普拉斯致力于客户服务,充分利用基于产品性能的工艺以及制造技术专长,使其产品系列扩展到有线与无线USB器件、CMOS图像传感器、计时技术解决方案、网络搜索引擎、专业存储器、高带宽同步和微功耗存储器产品、光学解决方案以及可再配置的混合信号阵列等。赛普拉斯股票在纽约股票交易所挂牌上市交易,代号为CY。

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