NAND Flash价格短期止跌回稳

上网时间: 2008年07月16日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND Flash? DDR2?

现货市场DDR2 eTT 512Mb 与DDR2 eTT 1Gb价格自上周(7/7-7/11)大幅滑落之后,DRAM价格就呈现价跌量缩的走势,DRAMeXchange统计自7月1日至7月14日为止的eTT现货价,DDR2 eTT 512Mb从0.97美元下跌至0.91美元,跌幅约6.2%,而DDR2 eTT 1Gb也从1.95美元下跌至1.84美元,跌幅约5.6%。而品牌颗粒的部分,DDR2 667 512Mb与DDR2 667 1Gb的跌幅也约在2.9%与5.9%。

从市场面来观察,随着整体经济环境的不佳、中国大陆奥运举办在即严打走私进口与瑞晶(Rexchip)持续增产等诸多因素影响下,整体现货市场不光是成交价格持续下滑,交易量亦十分清淡,但值得注意的是上周现货价格,DDR2 eTT 512Mb与DDR2 eTT 1Gb一度出现0.83美元与1.78美元的低价,但随即买盘进场接货,纵使市场跌破1美元及2美元的信心关卡,但想固守价格在0.9美元与1.8美元的防线依然不减。

七月上旬合约价出炉,平均价格仍维持持平走向,唯低价部分仍有上涨5%的空间

在合约市场方面,7月上旬的合约价仍然维持与6月下旬相同的价格,DDR2 667 1GB与2GB模块平均价约落在22美元与44美元左右,也让从4月起起涨至今的合约平均价暂时划下休止符。话虽如此,换算成颗粒单价,合约市场的DDR2 667 1Gb颗粒价格依然落在2.38美元,比起目前约2美元的现货价格,仍存在着19%的价差,也显示着合约现货价格不同调的少见情况。

DRAMeXchange表示,这次合约价格的议定延宕近一周的主要原因,主要是DRAM原厂与PC OEM厂意见分歧所致,首先在DRAM原厂方面,某一韩系厂商因为在五月下旬议定了为期一个月的合约价的关系,与其它家现存的合约价有着10%的价差,其次PC OEM厂皆已在第二季淡季时陆续备货,部分PC OEM厂甚至维持六至八周左右的高库存水位,皆导致七月份合约价议定的困难,虽然议定的结果大部分仍维持平盘,但当初与PC OEM议定一个月的合约价的DRAM原厂,仍无法拉抬价格至目前的现有价格水平。而对于七月下旬的合约价,DRAMeXchange认为仍维持持平的价格走势。

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NAND Flash价格短期止跌回稳,期待3Q08中需求回温

回顾前一周NAND Flash现货价格走势,自7月7日至7月14日NAND Flash现货价格多属于持平与小跌态势,肇因于Q2季末甫结束与旺季实际需求仍未完全浮现的影响,在供给面维持不变的情况下,价格呈现持平与平缓下滑的走势。

以NAND Flash市场主流颗粒价格来看,上周现货市场16Gb MLC平均颗粒价格介于4.2与3.97美元之间,8Gb MLC平均颗粒价格则介于2.38和2.27美元之间,现货市场虽然仍持续下跌的趋势,然下跌幅度已趋缓,价格呈现筑底态势。

以目前整体需求来看,相关NAND Flash终端应用产品仍处于疲弱的态势,除了UFD仍维持小幅增长外,其它如手机、DSC、MP3/PMP等出货皆呈现下修的走势,以占整体NAND Flash总需求达50%左右的闪存卡来看,由于Q2手机与DSC出货量不如预期,整体出货数字较去年同期下降,连带也使闪存卡整体出货量受到影响;此外,MP3/PMP市场逐渐呈现饱和,复加以新出厂手机多半具备播放音乐功能,使市场对MP3/PMP需求持续下降,而此一发展趋势,尤其以新兴市场更为明显;Low Cost PC 2008年全年出货可望达到8mn,此一数字亦较先前预期下修。

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整体而言,3Q08中将逐渐步入NAND Flash的传统备货季节,以因应从back to school 到年底圣诞节旺季需求,虽然今年旺季效应可能不如过往,但仍可望对NAND Flash价格的止跌回稳有一定帮助。而随着Apple 3G iPhone 在全球热销,以极具竞争力与吸引力的价格吸引消费者抢购,使得许多国家出现预购一空与排队抢购的热潮,2H08 Apple 3G iPhone的销售可望介于10mn至12mn之间,在上市初期热卖效应下,也可以改善目前NAND Flash 的市场信心,NAND Flash价格可望于短期内呈现回稳的状况,预期3Q08中期后价格可望随着旺季需求的回温而逐步反弹。

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  • DDR2是什么意思
  • DDR2(Double Data Rate 2)是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

  • 什么是NAND Flash
  • NAND Flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

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