NAND Flash总体不确定性弱化淡季需求

上网时间: 2008年07月23日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND Flash? DRAM厂?

DRAM合约价在四月出现落底讯号,五月强劲反弹,1GB均价由四月17.5美元上涨至七月22美元,涨幅达30%。然而在同期现货价 DDR2 1Gb 667MHz却由2.16美元下跌至1.97美元,下跌幅度约9%。合约与现货的价差也由四月底负13%(1.88美元vs2.16美元)到7月21日,合约高于现货21% (2.38美元 vs 1.97美元 )。现货价格的疲弱也拖住了合约价格进一步上涨的动能。DRAM厂原本估计七月上旬合约价可上涨5%,最后多以持平成交。七月下旬合约价目前DRAM厂力守持平,但八月合约价可能偏弱。

现货价维持疲弱走势

DDR2 1Gb 667MHz现货价在去年年底1.87美元落底,一路反弹,至5月28日到2.29美元,涨幅约22%。7月9日仍守在2.01美元关卡,而7/21日续跌至1.97美元。

7/15-7/21的现货价格,根据集邦科技统计,约下跌1%-2%,显示市场未有明显的买气出现。尤其在中国奥运八月举办在即,严打走私使七月内陆需求大减,若八月中国内陆需求回笼,却又将面临欧洲市场八月需求下降。而且,部分主要几家模块厂,通路商仍保有高于一个月的库存水位, 也使得第三季、第四季现货市场实际需求难有很好的表现。

NAND Flash总体不确定性弱化淡季需求_ESMCOL_1

总体不确定性弱化淡季需求,期待低价促销刺激旺季买气

在次贷风暴延烧,通膨隐忧及大陆天灾的影响下,闪存(NAND Flash)终端应用需求如手机、音乐播放器(MP3)以及闪存卡等产品的传统淡季效应自2Q08中期起更加明显,使得2Q08供过于求缺口也因此更形扩大,从而抵消了海力士(Hynix)在4月初宣示将进行NAND Flash减产的激励效应,因此NAND Flash价格在4月份小幅反弹后,于6月份因季底效应加上需求疲弱,单月再度下跌达20%以上。

由于目前主要的NAND Flash供货商仍尚未变更他们原先设定的2008年NAND Flash产出增长目标,因此我们预估2008年整体NAND Flash供给年成长率将达到149%,但有鉴于2H08 NAND Flash相关产品的旺季整体需求可能不如往年的增长幅度,而且可能会递延到3Q08中期后才会开始逐渐回温,因此我们也预期3Q08的NAND Flash仍将呈现供过于求的状况。

NAND Flash总体不确定性弱化淡季需求_ESMCOL_2

不过从另一个角度来看,由于自4Q07以来至7月初,NAND Flash价格已下跌50%以上,此低价效应也将有助于NAND Flash厂商在接下来的返校需求(back to school)、大陆10月长假以及感恩节到圣诞节等传统销售旺季来刺激市场买气,另外NB、PC、低价计算机(low-cost PCs)及智能型手机(smart phones)等新机种在4Q08仍将稳定的增长,从而带动随身碟(UFD)及NAND Flash等的新需求,因此我们预期4Q08 NAND Flash市场将可望转为供需较平衡的状况,2008年整体NAND Flash的需求年增长率将可达到140%。

展望2H08 NAND Flash的价格趋势,我们预期7月中旬 Apple 3G iPhone上市的热卖效应是一个好的开始,短期将有助于提振NAND Flash市场信心,NAND Flash的价格也可望开始逐渐止稳,但我们也预期NAND Flash的价格需等到3Q08中期后,随着返校需求到圣诞节的旺季备货需求逐渐回温后,才会开始逐步反弹。

NAND Flash总体不确定性弱化淡季需求_ESMCOL_3

需求不振下,台式机市场将日益缩减

随着零组件规格的演进,以及网络应用的普及与多元化,NB从以往诉求轻、薄、短、小,现具备更强的娱乐休闲应用,迈向HD高画质娱乐、多元丰富的在线游戏、与更快的宽带无线速度,使得NB取代台式机,不仅从中低阶市场鲸吞蚕食,更从高阶市场慢慢渗透。

Intel NB新平台Centrino 2于7月15日正式上市,包含采用45nm之Penryn处理器、45系列北桥芯片组以及WiFi Link 5000系列的无线芯片。Centrino 2为前一代Centrino的新品牌名称,消费机种为”Centrino 2” ,商用机种为”Centrino 2 vPro”。 Centrino 2在规格提升方面,CPU部分:Penryn处理器支持更快的1066MHz FSB,耗电瓦数降低30%,耗电量仅25瓦,达到节电同时提升效能。

芯片组部分:采用可切换的绘图核心,在一台NB中同时提供整合与独立绘图核心。需要绘图运算时,可由整合型切换至独立绘图核心功能,以提供更高的3D效能,同时兼顾效能与省电效率。无线芯片:Intel WiFi Link 5000系列产品支持802.11 draft-N草案规格,提供数据传输率最高达450Mbps,与先前802.11a/g规格相较速度提升5倍,通讯距离范围亦扩大2倍。

从新产品规格来看,NB在高端效能上逐渐逼近DT,使得以往NB在消费市场的取代从中低阶延伸至高阶市场,确立未来几年NB市场规模仍持续扩大之动能。尤其在全球经济增长趋缓、物价持续上扬、消费者紧缩支出,以及因应新旧平台交接之际,业者为维持NB市占率,以降价吸引买气,使C/P值愈发接近DT,使得DT销售更加不易。就DT今年上半年销售不佳情况为例,预估全年出货增长率将由正转负,然而NB则依然维持25%的增长力。

NB在主流市场持续取代DT之外,2007年第四季华硕推出EPC低价NB产品,引发各大厂陆续加入,低价的诱因对DT的销售亦产生排挤。而今Intel Centrino 2的上市,让NB从中、高、低阶各个定位满足消费者不同需求,若DT未有新应用的发展,市场规模将不易再扩大。

标签 存储器件??

[ 投票数:? ] 收藏 ??? 打印版 ??? 推荐给同仁 ??? 发送查询 ??? ?订阅杂志

评论
免费订阅资讯速递
信息速递-请选择您感兴趣的技术领域:
  • 安防监控
  • 便携设备
  • 消费电子
  • 通信与网络
  • 分销与服务
  • 制造与测试
  • 工业与医疗
  • 汽车电子
  • 计算机与OA
  • 电源管理
  • 无源器件与模组
  • 新能源
  • 供应链管理
论坛速递
相关信息
  • 什么是NAND Flash
  • NAND Flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

  • 什么是DRAM厂?
  • 国际电子商情提供相关DRAM厂技术文章及相关DRAM厂新闻趋势,及更新最新相关DRAM厂电子产品技术

?新浪微博推荐
Global Sources


编辑推荐
?大家正在说


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
电子元器件数据手册下载
数据手册搜索

Datasheets China.com

《汽车电子特刊》

汽车电子系统在现代的汽车中占有的比重越来越高,对产品设计的工程师来说,产品的设计和验证面临着很多的挑战。本期《汽车电子特刊》将会向您呈现ADI技术对于汽车电子行业的应用等,还有IIC汽车电子论坛的精彩回顾哦!

扫一扫,关注最新资讯

esmc