春节长假闪存库存见底,NAND现货价短期有望反弹

上网时间: 2007年03月12日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? NAND? DDR2?

集邦科技(DRAMeXchange)表示:三月上旬DRAM合约价持续下跌,继二月份DDR2 512MB 667MHz模块价格跌破40美元之后,三月上旬则跌破了35美元。分析师指出:若以34美元来计算,换算成DDR2 512Mb 667MHz价格大约在3.87美元,使得合约单价低于现货市场的品牌单价。

大相径庭的,上周NAND Flash现货市场价格呈现反弹上扬的局势,尤其是高容量8Gb和16Gb的价格有单日涨幅超过8%的纪录。NAND闪存的价格自去年12月初就因终端需求持续疲软而一直往下调整,到2月中旬之前整个NAND闪存市场价格已经往下调整约50%,让许多市场人士忧心今年的NAND Flash产业发展。而农历年后的这波价格反弹,让业界人士可以开始用乐观的心态来面对未来数月的市场需求。

上周为中国农历年假期后第一周,年假后的补货以DDR为主,DDR2的需求较弱。虽然成交量并不大,但DDR 256Mb eTT之价格仍微幅上涨2.3%至1.79美元,DDR 512Mb 400MHz则上涨3.2%至3.86美元。 相较于DDR的涨势,DDR2除了512Mb eTT维持农历年前的涨势,来到了3.43美元,512Mb 533MHz与667MHz皆下跌超过6%,跌落至3.91美元与4.03美元。

自2007年1月至3月,目前这一波合约价的跌幅将近30%。然而,原本预估在今年的3月以后会开始下跌,在现货市场提早反应,使得在2月上旬就出现了快速向下修正的现象,连续一个多月的下跌,使得在3月上旬合约价呈现出较现货价为低之价格,也显示OEM端之需求低于预期。

以DRAM厂之成本来看, 目前DDR2 667 512MB UDIMM Module之成本约为25至32美元,合约价格若持续下跌,则对于成本结构偏高的DRAM厂商而言,在今年第一季,第二季将会出现2005年以来再次见到的亏损现象。 而DRAM厂也从去年第三季,第四季DRAM产品价格狂涨而致的高毛利,迅速跌至可能损失或低毛利的状况.

根据集邦科技观察,这次NAND闪存现货价格能够反弹向上,主要是由几个因素同时交互影响产生的:主要因NAND闪存上游供货商的产能调降,其次因Apple为六月上市的iPhone开始向上游供货商提出备料要求,以及农历新年的九天假期使下游众多业者的库存水位见底。

NAND闪存上游供货商为因应去年下半年终端市场需求疲软与价格持续下滑的现象,从去年第四季开始将部分Fab厂的产能移往生产DRAM,因此从去年12月开始NAND闪存可供应到下游业者手中的数量有明显缩减的迹象出现。

Apple最新产品iPhone预计今年六月在北美市场上市,据闻Apple已经向上游供货商发出备料通知。iPhone搭载4GB和8GB两种高容量的规格,让多数市场人士乐观看待iPhone上市后对NAND闪存市场所产生的影响。

今年中国农历新年的九天假期使许多下游生产记忆卡和闪存盘厂商在新年前所备的库存水位见底。长假结束,下游厂商开始向上游供货商拿货,但部份高容量的NAND闪存目前正处于缺货的状态,使得8Gb和16Gb的市场价格立刻反弹向上。在目前高容量NAND闪存的供应量仍处于不足的状况下,集邦科技(DRAMeXchange)预期市场价格短期内应会持续上涨。

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  • DRAM是什么意思
  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

  • NAND是什么意思
  • NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。

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