亿恒科技推出RLDRAM与SRAM竞争网络应用市场

上网时间: 2002年04月27日? 作者:高洁? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:亿恒科技? RLDRAM? Infineon?

亿恒科技公司推出了256Mb低延迟DRAM (RLDRAM),这种新结构的存储器旨在替代高速网络和快速缓存应用中的SRAM。亿恒科技公司存储器产品副总裁Peter Schaefer解释说,RLDRAM基于双数据速率SDRAM,可支持2.4Gbyte/s的持续带宽,并可在其8个存储单元上实现随机存取。RLDRAM填补了DRAM和快速SRAM间的空白,其随机存取的行周期低至25ns,而标准DRAM的行周期却达50ns或更多。

RLDRAM是亿恒和Micron技术公司合作的结果,将要与传统的SRAM、DDR SDRAM、快速周期RAM和Direct Rambus DRAM争抢存储器市场份额。两家公司将合作开发引脚和功能都兼容的产品,Micron预计下季度推出RLDRAM样品。“两家公司都专注于DRAM业务,因此客户肯定会对这一产品有信心的。”Schaefer说道。

RLDRAM可以达到OC-192和OC-768系统所设定的10到40Gbps传输率。“它还可以替代SRAM,用于L3高速缓存。”Schaefer补充道。RLDRAM的优点在于其存取速度可与SRAM相媲美,而所需电压仅1.8V。

IBM微电子声称,将为其ASIC单元库添加RLDRAM接口以补充其面向网络应用的嵌入式和单独存储器产品。亿恒和Micron将首先提供8Mbit x 32和16Mbit x 16组合的256Mb RLDRAM,传输率有300、250和200MHz三级。RLDRAM将采用薄膜细间距BGA封装,亿恒200MHz RLDRAM样品定价为54美元。

作者:高洁

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