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闪存相关文章和技术文档

2010年05月06日 针对消费电子,全新8位高速低功耗闪存微控制器新上市
新茂国际科技近日推出一系列新产品—SM59R04/03/02A1、SM59R04A2、SM59R16/09/05A3与SM59R16/09/05A5微控制器,为新茂目前的8位微控制器产品线增加更多的产品选择
2010年04月14日 什么因素推动尔必达和美光最近的闪存资产收购行动?
据iSuppli公司,最近DRAM供应商尔必达和美光的收购行动,突显供应商越来越重视打造完整的内存产品组合,以面向快速增长的智能手机市场。
2010年01月15日 Atmel闪存MCU SAM3S可改善阻抗匹并降低50%功耗
爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布推出SAM3S产品系列,包括18种通用的基于Cortex-M3之闪存控制器,这些器件能够改善阻抗匹配、简化PCB设计,并可在1MHz工作频率下节省功率50%,功耗仅2.3mW。
2009年12月08日 东芝采用Magma Quartz工具进行32纳米闪存设计
芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,东芝公司(Toshiba Corporation)将部署Quartz DRC和Quartz LVS用于快闪存储器设计。东芝公司是在32纳米设计上验证了这两款微捷码物理验证产品的精度后才做出的这个决定。据验证结果显示:Quartz DRC和Quartz LVS的先进功能可改善东芝快闪存储器设计的良率和可靠性。
2009年12月08日 SD闪存4.0标准有望一季度亮相,读写速度300MB/s
如果你对目前104MB/s的SD闪存传输速率不满意,你应该很高兴听到新标准SD Version 4.00 将出炉的消息,新规格的将SD的读写速度调高到300MB/s。据消息透露,新标准的产品将在明年春季亮相,并有可能在明年CES率先展示样品。
2009年11月09日 Q309 NAND闪存品牌厂商营收排名三星居首
2009年第三季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长,2009年第三季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为33.55亿美元,较上一季的27.59亿美元环比成长21.6%。就2009年第三季NAND Flash品牌厂商营收排行来看,三星营收为12.9亿美元,市占率为38.5%,维持第一。
2009年11月06日 抢攻汽车和芯片卡应用,英飞凌与TSMC携手65纳米嵌入式闪存开发
英飞凌科技与台积电(TSMC)日前共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议,英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术,用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。
2009年09月18日 第二季NOR闪存厂商排名 Numonyx重回榜首
Numonyx趁对手Spansion遇到麻烦之际,在第二季度重回NOR闪存厂商排名榜首。Numonyx和Spansion今年的排名争夺非常有趣,Spansion申请了Chapter 11破产保护,然后转向嵌入式市场,留下了开阔的无线市场,而Numonyx和Samsung则拼命争夺手持市场的额外份额。
2009年09月15日 PCM才是闪存之后真正的下一代存储器技术
目前市场上的存储器种类非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器(FeRAM)和新兴的磁性存储器(MRAM),那么MRAM会成为下一代存储器吗?有没有可能未来市场上下一代存储器一统天下?
2009年09月10日 强劲的需求和疲弱的资本支出有利于闪存供应商
据市场调研公司IC Insights最近发表的McClean报告年中更新,闪存市场的供需平衡状态正在发生明显变化,将在未来几年极大地有利于NAND闪存供应商。单位出货量和比特需求量继续增加。但与此同时,闪存方面的资本支出严重下降。在这两个因素的综合作用下,2012年以前平均销售价格将持续面临上涨的压力。
2009年08月11日 宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司日前发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。该授权闪存技术具有单元尺寸小,编程效率高和无过度擦除的优点,显著减少了嵌入式闪存模块的面积,在市场上极具竞争力。
2009年06月23日 闪存价格上涨威胁SSD技术在移动PC中的普及
今年前两个季度NAND闪存的 平均销售价格(ASP)反弹,令供应商非常高兴,使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。为了尽快恢复盈利,这些供应商在2008年纷纷削减产能 以应对市场需求疲弱的局面。据iSuppli公司,此后,NAND闪存价格在第一季度上涨了11%,在第二季度估计上涨了28%。
2009年06月04日 Atmel推出ARM Cortex-M3闪存MCU SAM3U
爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 宣布推出业界首款集成了高速 (480 Mbps) USB 器件兼收发器 (Device-and-Transceiver)、4位192 Mbps SDIO/SDCard 2.0、8位384 Mbps MMC 4.3 主机和片上48 MbpsSPI 接口之ARM Cortex-M3 闪存微控制器 SAM3U。
2009年06月03日 中芯、常忆联手推出0.18微米嵌入式闪存工艺技术
中芯国际集成电路制造有限公司与非易失性内存产品和IP供应商常忆科技日前共同宣布,已成功推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP組合包。基于常忆科技第三代2T PMOS flash(pFLASH)单元结构专利,中芯国际的0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺,是芯片代工领先业者和嵌入式非挥发性记忆体专业厂商紧密合作的成果,现已全面通过认证并即将批量生产。
2009年05月27日 Spansion发布MirrorBit SPI Multi-I/O闪存
Spansion近日发布了全新的串行外设接口(SPI)MirrorBit Multi-I/O闪存产品系列,能够提供突破性的性能。该系列包括从32 Mb到128 Mb的产品,支持单个(一个比特的数据总线)、2个(2个比特的数据总线)或者4个(4个比特的数据总线)串行输入输出数据传输。
2009年04月17日 美光闪存技术创新获半导体Insight奖
美光科技股份有限公司(Micron)宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“最具创新性工艺技术”奖,其1Gb、50纳米的DDR2获得“最具创新性DRAM技术”奖。
2009年04月13日 Numonyx计划推出汽车及嵌入式应用闪存Axcell M29F
Numonyx BV公司近日宣布其NOR闪存系 列产品之扩展计划。该公司计划推出针对汽车和嵌入式产品市场的新款闪存——Numonyx Axcell M29F。该闪存的工作电压为5伏,存储容量规格分别为16 MB、 8M、4M和2M。该新系列闪存的推出不仅将加快存储的执行速度,同时也使得汽车、军事、工厂自动化和航空电子应用领域拥有了灵活而稳定的NOR闪存供应 货源。
2009年04月02日 安捷伦以测试专家身份参加JEDEC闪存峰会
安捷伦科技公司(Agilent)日前宣布将参加于4月2日和4月6-7日举行的JEDEC闪存峰会。安捷伦是唯一参加此次峰会的测试测量公司。
2009年03月23日 美光闪存技术创新获Semiconductor Insights认可
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)宣布,美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得Semiconductor Insights公司(简称SI公司)认可,进入SI第八届Insight 年度大奖的最终评选。
2009年03月17日 美光发布其高密度系列BA NAND闪存
美光(Micron)科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存,可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案,使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合,无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。
2009年01月15日 SanDisk与东芝将推出32纳米NAND闪存
在不断寻求NAND闪存领 域的领先技术,SanDisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而SanDisk的合作伙伴,东芝(Toshiba)公司也据称将要在 2009年下半年发布纳米的NANA芯片。其他公司或许也会推出最先进的NAND产品,但真正的问题在于,是否或者何时整个行业会复苏。
2008年12月24日 美光联手太阳微系统公司延长闪存使用寿命
美光科技有限公司(Micron)宣布,美光与太阳微系统公司(Sun Microsystems, Inc.,下称Sun公司)合作开发了新的单层单元(SLC)企业级NAND技术,能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作,开发了可重复写入次数达100万次的量产型设备。
2008年12月22日 恒忆针对无线通信和嵌入式市场推出新NAND闪存
恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,全部采用先进的41nm制造工艺。
2008年12月12日 美光面向嵌入式应用推出串行NAND闪存
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)日前推出一项串行NAND闪存技术,使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb。
2008年12月05日 惠瑞捷推出V6000闪存及DRAM测试系统
惠瑞捷(Verigy)宣布推出V6000测试系统,可在同一套自动化测试设备(ATE)机台上,测试快闪和DRAM内存,测试成本低于现有的解决方案。
2008年11月28日 芯片市场形势低迷 东芝或推迟建两家闪存工厂
据日本共同通信社报道,由于芯片市场形势低迷,东芝可能推迟原计划在日本兴建的两家闪存工厂。
2008年11月04日 恒忆为嵌入式应用推出新型M29闪存
恒忆(Numonyx B.V)公司日前推出了安全性更高的新型高密度存储器系列产品,可为机顶盒、电信设备和其他嵌入式产品制造商提供快速可编程功能。Numonyx Axcell M29EW闪存扩展了恒忆产品的密度范围,密度可高达2GB,并支持流行的M29行业标准。
2008年10月17日 日月光与Spansion成立合资公司 共同拥有苏州闪存工厂
闪存解决方案的专营供应商Spansion,以及半导体封装及测试公司日月光公司(ASE),宣布签署了一份备忘录,二者同意成立一家合资公司来参股Spansion在中国苏州的末端制造厂。该项不具约束力的谅解备忘录的具体条款尚未对外披露。
2008年09月08日 NAND闪存盈利能力有限 市场已出现“脱节”现象
Gartner公司的分析师Bryan Lewis称,NAND闪存市场原本已经朝着2008年的后增长方向发展,但现在却出现了10%的下滑。Lewis表示,对于很多半导体种类,市场仍处于强劲势态,但NAND闪存市场却在过去的两个月里出现“脱节”。
2008年09月04日 Spansion生产基于ORNAND2技术闪存 面向手机市场
闪存专业厂商与NOR市场领先厂商Spansion将在今年稍晚开始生产基于ORNAND2 MirrorBit技术的NAND闪存器件,面向手机厂商。
2008年09月02日 CMMB手机订单急增 导致LCD屏和闪存缺货
CMMB手机订单如暴风骤雨般袭来,致使很多上游供商都措手不及。近日,笔者得到消息,由于CMMB手机出货量急增,已导致小尺寸LCD屏和部分种类闪存缺货,并已涉及其它手机产品。供应商开始抬价,目前的涨幅已达50%。这是好消息,也是坏消息……
2008年08月26日 旺年华推出NXP基于闪存的ARM7 MCU系列产品
旺年华(Avanlane)公司目前备有NXP半导体公司的LPC2478和LPC2470两款MCU,NXP公司是半导体、系统方案和软件领域的供应商。LPC2478微控器是唯一的提供集成的LCD支持的基于闪存的ARM7 MCU,LPC2470是其无闪存版本。
2008年05月29日 义隆电子推出4K闪存工规单片机系列产品
义隆电子推出4K闪存工规单片机系列产品。此系列单片机具有可缩小电路面积、重复烧写、减少库存等优点,令使用者减少零件及成本;尤其内置256Byte EEPROM,方便客户存取重要数据,即使电源关闭,数据仍然完整安全的保存。
2008年05月01日 PC应用推动,ONFI与LBA阵营争锋NAND闪存接口标准
NAND工业终于在存储容量和单位成本上发展到PC行业可以接受的程度。相对于其它消费电子产品,单台PC对存储容量的需求至少要大一个数量级,加之PC 市场规模巨大,NAND在PC平台的应用将会催生一个新的蓝海,NAND业界对此普遍看好。因此,由英特尔倡导的ONFI阵营与东芝倡导的LBA阵营展开 了激烈的斗争。
2008年04月08日 Micron推迟NAND闪存工厂建设计划 市场供需将获改善
美光(Micron)搁浅了新加坡建厂的计划,其竞争对手海力士(Hynix)也计划减产NAND flash产品。而市场龙头三星(Samsung)以及东芝(Toshiba)据称没有减产NAND flash的计划。
2008年03月10日 东芝携NAND闪存等多个产品线亮相IIC
在本届IIC-China 2008展会上,日本东芝(Toshiba)在带来了基于NAND技术的存储系列产品、蓝牙汽车音响方案以及针对中国地面数字广播系统方案。
2008年02月28日 NAND闪存工厂推迟兴建 产量提升速度可能放慢
NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象:厂商正在推迟兴建新的闪存工厂,或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab 5工厂。据这两家公司,该工厂将生产NAND闪存,预计2010年投产。
2008年02月25日 2007年NAND闪存厂商排名出炉 三星与东芝位居前列
2007年NAND闪存营业额达139亿美元,比2006年增长12.5%。在8大供应商中有6家销售额实现增长。与英特尔(Intel)和美光(Micron)一样,东芝(Toshiba)和意法半导体(ST)也设法取得了高于整体市场的增长率,并且扩大了市场份额。
2008年02月20日 东芝与SanDisk开发采用43纳米工艺的16Gb NAND闪存
东京东芝(Toshiba)株式会社近日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术,这款闪存采用43纳米工艺技术制造,这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。
2008年02月20日 宏力半导体量产日本三洋0.18微米NOR闪存
中国半导体制造业者上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日公布其已成功量产日本三洋半导体株式会社(日本三洋半导体)用于汽车导航系统、采用0.18微米NOR型闪存工艺的芯片。
2008年02月18日 东芝投资66亿美元兴建NAND闪存工厂,09年量产
据《朝日新闻》(Asahi Shimbun)报道,日本电子巨头东芝(Toshiba)将投资逾66亿美元在日本北部兴建一家新的NAND闪存工厂。这家工厂位于Iwate Prefecture,将在始于2009年4月的会计年度内开始量产。
2008年02月05日 闪存销售价格大幅下跌 海力士第四财季亏损
韩国海力士(Hynix)半导体公司日前公布第四财季亏损4,670亿韩元(约合4.96亿美元),上年同期实现利润1.02万亿韩元。第四财季销售额为 1.73万亿韩元(约合18.4亿美元),分别比第三季和2006年同期减少24%和29%。
2008年02月01日 新方案促成闪存高清摄像机,高端摄像机市场吸引中国厂商进入
三星SC-HMX10的推出表明,Ambarella的单芯片编解码方案将很有可能令一直为日韩厂商所把持的高端数码摄像机市场出现中国厂商的身影。
2008年01月14日 市场供应增加 东芝预期NAND闪存前景黯淡
东芝(Toshiba)的心态正在发生变化,尤其是对于它的NAND闪存业务。不久以前,东芝(东京)的NAND脱销。实际上,由于需求高涨,该公司最近谢绝了大约25%的NAND订单。东芝是全球第二大NAND供应商仅次于三星(Samsung)电子。
2008年01月02日 旺宏将与奇梦达正式签约 共同研发闪存先驱技术
旺宏电子股份有限公司近日召开董事会,会中通过授权旺宏电子经营团队与德国奇梦达(Qimonda)公司签订技术授权与共同开发合约,以发展闪存(Flash)先进制程技术,正式签约将于近期内完成。
2007年12月14日 SanDisk全新闪存加速器可大幅提升PC系统性能
SanDisk近日推出了固态存储解决方案,该方案可与个人计算机硬盘一起存储和启动计算机的操作系统和应用软件。相较于只使用传统单一硬盘的个人计算 机,配备SanDisk Vaulter Disk与硬盘的个人计算机能提供更加快速的效能,且保持每GB单位的低消耗。SanDisk Vaulter Disk将于2008年1月7日至10日在美国拉斯维加斯举办的国际消费电子展中初次亮相。
2007年12月14日 Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力
Cypress推出了一款具备多层单元(MLC) NAND闪存支 持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC) NAND闪存相比,其成本降低了三倍,适用于PMP、无线网卡、收发器、PND、数码相机、POS终端以及其它许多应用。
2007年12月03日 第三季度NAND闪存销售额增长37%,达42亿美元
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示,第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%,达到42亿美元。但iSuppli指出,在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头,本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求,本季度NAND的平均销售价格将下降18%。
2007年11月02日 应用材料总裁谈08年芯片产业 闪存与移动视频是关键
美国和欧洲市场强劲的季节销售,以及紧随其后的中国新年销售旺季,将有助于决定DRAM是否供过于求、逻辑芯片供应正在减少以及2008年全球芯片产业走向。
2007年11月01日 Spansion产能月增2万300mm圆片,NOR闪存三强座次充满变数
英特尔与意法成立闪存合资公司Numonyx改变了NOR闪存厂商的座次,但Numonyx还能当多久的老大却很难说。原因之一是目前排名第二的Spansion正在大幅提升产能,二是排名第三的三星也决心要做NOR的老大,正在采取积极措施。
2007年10月26日 三星首款6?Gb NAND闪存采用30nm工艺设计
三星声称,它开发成功了全球第一个6?Gb多层单元NAND闪存芯片。该芯片采用30纳米工艺设计。据三星介绍,这标志着存储密度连续第八年每年提高一倍,连续第七年纳米尺度为NAND闪存得到改善,2001年开发的100纳米NAND具有1Gb容量。
2007年10月24日 东芝43纳米NAND闪存生产线采用光微影设备
尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强,东芝(Toshiba Corp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(optical lithography)技术。
2007年10月10日 Spansion收购Saifun公司 进军闪存IP市场
闪存供应商Spansion公司日前宣布,该公司将收购非易失性内存IP供应商Saifun Semiconductor Ltd。通过收购,Spansion可以有机会扩充其产品线,甚至进军DRAM市场。
2007年09月29日 SanDisk上海制造厂正式启用 专注消费电子闪存
SanDisk近日宣布,位于中国的首座制造厂正式落成启用。晟碟半导体上海有限公司(SanDisk Semiconductor(Shanghai) Co. Ltd.,简称SDSS)位于上海紫竹科学园区,专注封装及测试手机及消费性电子装置专用的闪存产品。
2007年09月24日 Spansion日本65纳米12寸厂投产 NOR闪存三强座次充满变数
去年底,Spansion当之无愧的稳坐NOR闪存市 场头把椅,但是当英特尔与意法成立闪存合资公司Numonyx后,Spansion还能稳坐第一的位置吗?它刚投入量产的300mm 65nm工厂将会给NOR市场带来新的变化,并且市场传闻三星正在洽谈收购Spasnion事宜,希望再成为NOR市场的老大,未来的NOR市场变得扑朔 迷离。
2007年09月07日 东芝与SanDisk合资闪存工厂 计划月产8万晶圆
东芝与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。东芝于2006年8月开始兴建上述工厂,预计在2007年12月开始大规模生产,并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。
2007年09月03日 英特尔意法合建闪存厂 美联邦贸易委员会提出反垄断审查
英特尔公司(Intel)日前表示,该公司已收到来自联邦贸易委员会(FTC)的审查要求,需要提供更多与意法半导体(ST)合资建设闪存厂的有关信息。
2007年08月28日 Spansion MirrorBit Quad获得闪存峰会Lion's Award大奖
纯闪存解 决方案供应商Spansion近日宣布,其业界首款每单元四比特闪存解决方案MirrorBit Quad闪存在闪存峰会上获得了Lion's Award大奖,此奖项是颁给创新的闪存新技术。一年一度的闪存峰会为厂商和用户提供了闪存行业及其应用方面前沿而实用的信息。
2007年08月24日 iSuppli调高NAND闪存销售额增长率预测
据市场调研公司iSuppli,第二季度全球闪存销售额增长14.4%,从第一季度的26亿美元上升到30亿美元,代表2005年第四季度以来全球NAND闪存市场销售额增长21%以来的最大增幅。
2007年08月24日 英特尔计划在2008年推出65纳米嵌入式NOR闪存
英特尔公司日前表示,计划在2008年使用65纳米制造过程生产嵌入式NOR闪存芯片。
2007年08月20日 三星部分产能转向NAND闪存 公司市场份额猛增
iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星电子NAND闪存销售额达到14亿美元,比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存,该公司的NAND市场份额猛增至45.9%,比1季度的44.1%高几乎两个百分点。
2007年08月15日 欧洲委员会批准英特尔与意法组建闪存合资企业
欧洲委员会已批准英特尔与意法半导体组建闪存合资企业的计划。该计划得到了Francisco Partners LP的支持。此项计划在今年5月的时候公布。欧洲委员会认为,此举不会明显阻碍欧洲及欧洲任何地区的有效竞争。
2007年08月10日 PMP/MP3 NAND闪存销售强劲 推动海力士2006年排名上升
据iSuppli公司,借助于消费者对便携媒体播放器(PMP)/MP3播放器的需求大增,海力士半导体2006年在全球消费电子芯片市场中表现出色。
2007年08月08日 Spansion NOR闪存在MTk参考设计平台上完成预先验证
纯闪存解 决方案供应商Spansion近日宣布,其MirrorBit NOR闪存已完成在MediaTek主流手机参考设计平台上的预先验证。在MediaTek参考设计平台上完成对Spansion闪存解决方案的预先验 证,使生产商能够将具有成本效率的高性能手机推向中国及其它高速增长市场。
2007年08月01日 美光科技:NAND闪存的未来在SSD
闪存在 性能、可靠性、耐久性、耗电、尺寸、重量、耐冲击性、温度方面均超过硬盘。不如硬盘的方面是容量和单位容量所对应的成本。目前闪存的使用方法有缓存中使用 闪存的硬盘“混合型”和全部由闪存构成的大容量光盘SSD两种,预计混合型将首先开始普及,但2010年时SSD将赶上并超过混合型。
2007年07月31日 集邦:市场供货吃紧 七月下旬NAND闪存合约价大致持平
集邦(DRAMeXchange)发表最新闪存市场研究报告指出,七月下旬的NAND闪存合约价,大致呈现持平及部份小涨的状况,而七月上旬多数NAND Flash的合约价已大幅调涨20~30%,反映本月供货吃紧的状况。
2007年07月27日 意法第二季亏损高达$7.58亿 受累于闪存业务重组
欧洲最大芯片制造商意法半导体(ST)日前公布2007年第二季度大幅亏损,因其把闪存业务分拆到了一家合资企业之中并由此产生了大笔支出。该公司公布,第二季净亏损为7.58亿美元,而去年同期为盈利1.68亿美元。
2007年07月27日 东芝推出ReadyBoost功能对应版和32GB容量USB闪存
东芝日前宣布,已经成功研制出对应Windows Vista中采用的提高性能功能ReadyBoost的、容量从1GB到8GB的新产品和满足大容量需求的网上直销的32GB产品,再次扩充了USB闪存TransMemory的阵容。
2007年07月26日 苹果独霸全球四分之一NAND闪存 供应短缺将刺激价格上涨
据DRAMeXchange的数据,第三季度iPod和iPhone将大约用掉全球25%的NAND闪存。由于相当一部分产能分配给了苹果以满足下半年的预期需求,许多下游厂商一直无法获得充足的闪存芯片。DRAMeXchange表示,25%的产能分配给苹果,还将导致市场供应更加紧张,可能进一步刺激价格上涨。
2007年07月03日 新型闪存杀出 2012年闪存市场格局将大变
根据市场研究公司Web-Feet Research预测,到2012年电荷捕获型(trapped charge)和相变(phase change)内存会超过其他闪存,在全部565亿美元内存市场中占据30.7%的比例。
2007年06月15日 价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长
三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。
2007年06月12日 iSuppli:闪存在PMP中的使用量将出现井喷
iSuppli指出,到2011年带闪存的便携式媒体播放器(PMP)销量将增长到1.502亿部,是2006年590万部的25倍。即便是在今年,此类设备的销量也将达到5,480万部。
2007年06月07日 英特尔与微软、戴尔联手推动新标准 旨在扩大闪存在PC中的应用
戴尔、英特尔和微软日前表示决定制定一个NAND闪存模块控制器的标准,三家公司期望此举将有助于扩大闪存在笔记本电脑和台式电脑中的应用。此外,英特尔也开始对内置闪存在服务器中的应用可能性进行探索。
2007年05月29日 华邦电子新推两款8位控制器内建4K/2K闪存
华邦电子自从推出W79E834整合型单片机后,再次推出两款8-位控制器W79E833/W79E832。W79E833/W79E832采用4个时脉执行一条指令周期的华邦8051核心为基础,内建4K/2K闪存,具备高度整合外围功能。
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