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?????砷化镓器件市场
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高通巨资建厂为了转换RF器件工艺?
高通功率放大器等射频(RF)元件策略出现转向,计划由台积电COMS工艺代工转为砷化镓工艺制造……
标签放大器
2016-02-02
RF/PA器件整合搭上5G通信和物联网的顺风车
根据市场研究机构Strategy Analytics的调查报告指出,2013年全球手机射频前端的市场规模约为270亿美元,至2018年,手机及相关设备有望推动这一市场规模的数据扩大至450亿美元以上,带动增长的主要因素来源于基带、PA功率放大器以及相关的射频前端元件……
2015-08-18
表面安装元件尽展所长
电路板上的各类元器件,包括集成电路、电阻、 电容器、晶体管、开关、连接器、变压器、熔丝等皆陆续研制出表面安装型号。
2015-02-12
精准定位需求看涨,世强24GHz单芯片雷达方案准备就绪
在多数人眼中,雷达是用来探测与导航的。不过如今雷达的应用已日益深入家庭生活。比如,您家的智能马桶就采用了24GHz雷达传感器。而在汽车中,使用24GHz的防撞雷达已在欧美国家最先普及;在工业领域,储罐液位计...
2015-02-06
射频器件大变革,纯CMOS能否取代GaAs工艺?
随着移动终端的迅速发展,类似于WIFI、LTE对射频前端的技术要求也越来越高,而包括功率放大器、天线开关、低杂讯放大器等射频元件所涵盖的频段处理通道也比以前更多,这种情况下越来越多的射频元件厂商在寻找更高性价比的方案。
2014-11-04
RFaxis推出新款纯CMOS大功率2.4GHz WLAN功率放大器
RFaxis, Inc.宣布,该公司用于无线局域网络(WLAN)应用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量产。
标签放大器
2014-06-26
蜂窝需求减弱,砷化镓器件市场增长放缓
Strategy Analytics最新研究报告指出,由于市场对蜂窝部分的需求放缓以及多频砷化镓功率放大器市场不断增长,导致砷化镓器件市场缓慢增长,预计2017年市场规模将略低于61亿美元。此外,砷化镓外延衬底产量也随之下滑。
2013-11-01
为迈向新一代802.11ac标准做好准备
本文将介绍802.11ac标准的优势以及它将推动的新应用,分析该新标准将带来的挑战,以及TriQuint半导体公司的射频前端解决方案。
2012-06-11
LTE/3G多模多频手机需要灵活的射频组合方案
目前智能手机还是同质化较高的产品,差异化体现在应用软件和品牌方面更多一些。在有限的硬件差异化空间中,当前中国手机厂商所能做的就是要根据不同顾客群体的承受能力,提供不同需求的产品。从射频的角度来说,对应不同类型的产品推出不同的组合,在最低的价格上实现最恰当的性能。
2012-01-05
IIC 2011舞台出新招,群英荟萃邀您齐参与
第十六届国际集成电路展览会暨研讨会(IIC-China 2011)春季展即将于2011年分别在深圳盛大举行。自第一届IIC以来,她从当初一个广大工程师接触了解国际芯片厂商的先进技术和产品的平台,成长为国内国际芯片厂商同台竞技,百花争艳的舞台。今年,新一届的IIC展会更将推陈出新……
标签DSP
2011-01-12
《国际电子商情》12月热门产品汇总
Vishay推出装有金属基板和驱动电源的冷白光LED模块。麦瑞半导体率先在业内推出了突破100飞秒抖动障碍的高可配置、可编程时钟合成器SM802xxx。RFMD宣布推出峰值效率超过65%的75W氮化镓(GaN)射频功率晶体管。Nvidia的Tegra 2挤进手机应用处理器市场。
标签LED
2010-12-22
RFMD开发出效率高达65%的75W氮化镓功率晶体管
欧胜微电子有限公司(Wolfson Microelectronics plc)日前宣布,其业界领先的音频和电源管理技术已经被移动多媒体处理专业公司Movidius选用,为其极具开创性的Myriad 3D平台参考设计和开发板带来卓越的音频性能和电源管理。
2010-12-01
3G终端PA市场基本上掌握在四强手中,CMOS PA难再为继
3G终端PA的主流制造工艺是砷化镓,CMOS工艺虽然开始渗透到RF前端,但用CMOS工艺制造出来的PA在效率和功率等方面达不到3G终端产品的设计要求,因此CMOS PA基本上将无缘3G市场。目前CMOS PA主要应用在低端GSM/GPRS手机上。
标签放大器
2010-08-24
未来大部分3G/LTE基站将采用砷化镓PA,LDMOS PA将淡出
TriQuint半导体公司中国区总经理熊挺指出:“今天的3G基站大部分用LDMOS PA,但未来的3G、LTE基站大部分将采用砷化镓PA。我们开发的28V砷化镓双极HVT工艺可使PA的功率达到200W以上功率,效率高达45%以上。这一性能已超过当今最好的LDMOS PA。”
2010-06-02
政策利好消息为中国分立器件产业注入强心剂
长期以来,看到自己的同胞兄弟--集成电路厂商--不断享受各种扶持政策,而自己只能作为旁观者的分立器件厂商终于有可能与集成电路企业享受平待待遇,日前在深圳2009中国半导体分立器件年会上传出如此利好消息……
标签三极管
2009-08-28
二极管:小身材有大智慧,材料、封装创新并行
尽管二极管是成熟的半导体技术之一,但是竞争依旧激烈。该市场领先者已经凭借批量制造形成规模经济,手中握有先进技术以及遍布全球的分销网络。主宰该市场的以老牌国际企业为主,对后来进入者而言门槛相当高。
标签二极管
2009-08-01
获益于3G市场,TriQuint的冬天很温暖
相比于其它一些欧美半导体厂商裁员过冬,TriQuint可以说是取得了非常不错的成绩。值得一提的是,TriQuint还是一家射频器件领域最大的砷化镓晶园代工厂,相比于Fabless公司,对于冬天应该更加敏感。然而,林伟仪表示:“我们的财务状况非常好,没有任何银行欠账。”
2009-03-03
FSI国际POLARIS光刻系统再收砷化镓代工厂订单
微电子制造表面处理和显微光刻设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布再次收到POLARIS显微光刻系统订单,该订单来自一家砷化镓(GaAs)器件代工厂。
2008-12-03
2007年全球GaAs器件市场增长17%
据市场调研公司Strategy Analytics,2007年砷化镓(GaAs)器件市场达到36亿美元,比2006年增长17%。
2008-09-16
锐迪科推出新一代宽带高线性功率放大器芯片RDA D101
锐迪科微电子(RDA)推出新一代宽带高线性功率放大器芯片RDA D101。RDA D101 是工作频率为100 MHz-2500 MHz 的超宽带线性 RF 驱动放大器,具有静态电流可调、高线性度等特点。该器件实现了直接用于功率放大器的低失真、高输出驱动。
标签放大器
2008-06-26
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