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APT高功率500V MOSFET具有极低的开关损耗和门电荷
Advanced Power Technology(APT)公司扩展了其新的低电容、低门电荷MOSFET系列器件,称为POWER MOS VI。它采用APT专有的聚合硅门上金属 (metal on polysilicon gate)结构,其内部门阻抗比业界标准的聚合硅门器件低一个数量
2000-07-06
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