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应用材料公司突破导线技术传统瓶颈
应用材料公司(Applied Materials)宣布其全新Endura Volta化学气相沈积(CVD)系统加入独特的钴金属后,一举突破导线技术传统瓶颈,让“摩尔定律”持续向下进展到20纳米。此外,应材的Endura Ventura实体气相沈积(PVD)系统不但成功协助……
2014-06-13
拆解分析:各大存储器厂如何突破制程极限
DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限?拆解分析机构 Techinsights可不这么认为,通过对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,各大DRAM制造商跨过这道坎各有妙招,将持续朝2x纳米甚至1x纳米节点前进。
标签DRAM
2013-06-14
瑞萨新型MCU集成128K ROM,适用于金融智能卡应用
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布推出AE44C智能卡微控制器(MCU),集成AE-4 16位CPU内核、18KB EEPROM(电气可擦写只读存储器),以及128KB的掩膜ROM,可在10MHz最高内部工作频率下运行,适用于金融领域的智能卡应用。
标签MCU
2005-12-07
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