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中科院微电子所在22纳米CMOS技术研发上取得突破性进展
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能良好,达到国内领先、世界一流水平。
2012-12-11
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技,进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势,不仅风险更低,而且能够更快速地推向市场,从而帮助无晶圆厂生态系统在保持其移动市场领先地位的同时,开发新一代智能移动设备。
标签晶振
2012-09-28
GLOBALFOUNDRIES德国厂32纳米HKMG晶圆累计出货25万
GLOBALFOUNDRIES近日宣布,其在德国德累斯顿的Fab1工厂已经出货了超过25万个基于32纳米高K金属栅制程技术(HKMG)的半导体晶圆。这一里程碑体现了GLOBALFOUNDRIES同其它代工厂相比在HKMG制程技术制造方面的重要领先性,和其一直秉承的将前沿技术快速实现量产的历史传统。
2012-03-23
突破浮动门限制,首款32G NAND问世08年规模商用
为重夺NAND闪存领域的技术领导地位,三星电子日前宣布已开发出基于40纳米设计原理及三星专有的Charge Trap Flash(CTF)结构的业界首款32G NAND闪存。三星将从2008年开始大规模生产40纳米NAND闪存,这将使32G的MP3播放器和128G的SSD存储卡成为现实。三星还希望能够在2008到2010年间,从40纳米NAND闪存业务上获得总计500亿美元的销售收入。
标签NAND
2006-09-18
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