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从富士通进军智能水/气表市场看FRAM应用前景
在计量仪表行业,水表/气表目前仍是不同于电表的一个“蓝海”市场,对成本的敏感度远低于对功耗的敏感度,正是因为这一特点,使得FRAM这一无电池存储技术在无论是通信单元(中继)还是计量单元都得到越来越多的应用……
标签其它
2015-11-24
后闪存时代:有必要说说的三个演进方向
闪存时代预期将在2020年走向终结,包括电阻式与电子自旋式等存储的最新技术蓄势待发,未来引领其性能更高,速度更快且具有动态存储式定址能力的新闪存,未来将对现有闪存技术全面接盘,由于这些技术的颠覆性我们把他们的未来称作“后闪存时代”(Post_NAND)……
标签NAND
2015-03-31
NAND闪存将死,电阻式RAM新生?
随着NAND闪存在工艺进步下逐渐达到寿命临界点,新的闪存技术正在不断涌现。而这些技术最大的目标就是要在提高速度和寿命的前提下,继续推动摩尔定律向前发展,并为未来制程演进做好准备。相信2015年更多新类型的非易失性存储新品将出现在市场上和实验室里……
标签NAND
2014-12-24
把握市场脉搏,新型存储器蓄势待发
随着微处理器主频迅速发展到目前的4GHz以上,并由单核转向多核;同时网络传输速率正迈向更高速的40Gbit/s和100Gbit/s,存储器的性能成为了计算机系统中的性能“瓶颈”,促使人们努力去探索更多的新型存储器件。这其中就包括磁阻内存(MRAM)、相变内存(PCRAM/PCM)、铁电随机存取内存(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM)等等,它们各有的应用特点,可担任不同的功能角色。
标签DRAM
2014-11-05
超级内存技术NVDIMM惊艳亮相,将改变服务器存储格局
NVDIMM是一种集成了DRAM+闪存芯片的非易失内存技术,是当前国际存储行业最热门的前沿技术之一。NVDIMM的随机访问特性能让CPU和操作系统直接访问管理,并且非易失性技术可以取代闪存使其更接近于中央处理器,显著降低永久性数据存取延迟,从而改变数据库与文件系统的组织架构。
2014-09-10
IIC-China 2013:传递智能技术,开创智能世界
作为全球和中国电子业的风向标,第十八届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)将于2013年2月28日在深圳会展中心揭开帷幕,进行为期3天的不间断的技术、概念、设计、交流和教育盛会!届时国际半导体巨头及中国本土厂商将闪亮登场。
2013-01-31
赛普拉斯扩展串行nvSRAM产品线
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),该存储器具有I2C和SPI接口,可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(I2C器件)。同时,用户还可以选择集成实时时钟(RTC),用于给重要的数据打上时间标记,以便备份。
2011-03-31
F-RAM两大生意成倍增长市场:汽车和物联网
在林林总总的非易失性存储器市场,如闪存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相变存储器、SSD和移动硬盘等,铁电存储器(F-RAM)可能是最不起眼的一种。由于价格贵、容量小和应用市场窄,F-RAM的市场一直做不大。
标签EEPROM
2010-12-08
恒忆Omneo系列相变存储器耐写次数高达100万次
近日,恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者,宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。
2010-09-28
非易失性半导体存储器的相变机制
经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究,现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升,尽管如此,现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制,相变存储器(PCM)就是其中一个最被业界看好的非易失性存储器,具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。
标签其它
2009-12-21
ST推出512-Kbit串口EEPROM M95512/M24512
意法半导体(ST)运用先进的非易失性存储技术,推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2×3×0.6mm 8-引脚微型引线框架封装(MLP)的512-Kbit器件,再度写下业界第一。
标签EEPROM
2009-07-08
存储巨头恒忆联手三星共同推动下一代PCM商用
恒忆(Numonyx)与三星电子(Samsung Electronics)日前宣布将共同开发制定相变存储器(Phase Change Memory,PCM) 产品的市场规格,此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求,从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。
标签其它
2009-06-26
意法开发出微控制器STM8S105和STM8S207
意法(ST)半导体日前宣布,针对工业应用和消费电子开发的微控制器STM8S105和STM8S207全面上市。新产品稳健可靠,以高性能的8位架构、模块化外设和引脚兼容封装的主要特性,为现有的8位和16位应用提高性能、可扩展性和价值。
标签MCU
2009-03-09
Spansion完成对Saifun的收购 推动技术许可业务发展
纯闪存解决方案供应商Spansion与非易失性存储(NVM)知识产权(IP)授权供应商Saifun宣布Spansion根据双方签署的收购协议书及修正条款完成对Saifun的收购。
2008-03-26
Angstrom Aerospace选择飞思卡尔4Mbit MRAM器件
磁阻式随机存取存储器(MRAM)产品提供商飞思卡尔(Freescale)半导体公司为环境苛刻的应用,如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术
2008-03-05
英特尔与意法半导体推出业内首款相变存储器原型
英特尔(Intel)和意法(ST)半导体宣布开始向客户提供采用创新的相变存储器(PCM)技术制造的未来存储器的原型样片,这些原型样片是市场上首批交付给客户评测的相变存储器的功能芯片,使相变存储器技术向商业化目标又迈进了一步。
2008-02-22
英特尔与微软、戴尔联手推动新标准 旨在扩大闪存在PC中的应用
戴尔、英特尔和微软日前表示决定制定一个NAND闪存模块控制器的标准,三家公司期望此举将有助于扩大闪存在笔记本电脑和台式电脑中的应用。此外,英特尔也开始对内置闪存在服务器中的应用可能性进行探索。
标签NAND
2007-06-07
英特尔与意法强强联手 打造全球最大闪存企业
意法半导体与英特尔宣布组建闪存合资企业,此举早在人们的意料之中,并得到了私募股权投资公司Francisco Partners LP的帮助。该合资企业的总部将位于瑞士,将从事生产NOR和NAND闪存,其中包括开发硫族相变内存。将有8,000名员工转移到这家尚未命名的新企业。
标签NOR
2007-05-24
日立瑞萨相变存储模块具416KB/s写入速度和20ns读取时间
日立与瑞萨科技开发出运行于1.5V电源电压的512KB(相当于4Mb)相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。该产品有助于利用小电流实现高速写入;可高速读取电路支持微小读取电流;有助于实现纳安级的微电流值的测量。
标签其它
2007-03-02
闪存将终结?相变内存在速度、尺寸与材料上占优
闪存的发展如日中天,但专家预计在不久的将来闪存会遭遇严重的尺寸缩小限制。取代闪存的下一代存储器技术是什么?来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家近日联合发布的最新新兴存储技术成果-相变内存可能会是我们的答案。
标签其它
2006-12-15
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