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iPhone 3GS拆解报告:博通与东芝赢得订单
第三代苹果iPhone的拆机分析结果显示,部分由于采用了博通和东芝的芯片,这款手机的集成度更高,而且可能成本更低。一位分析师因此调侃说,iPhone 3GS中的“S”可能代表“Savings(节省)”。尔必达也首次打入iPhone 3GS,其DRAM裸片出现在两个芯片堆叠之中。尔必达和东芝已经取代三星电子,成为该款手机的闪存与DRAM供应商。
标签DRAM
2009-06-24
NOR闪存厂商进攻NAND市场,并购与联姻改写市场大格局
在苹果iPod和闪存卡热销的推动下,2005年NAND闪存市场实现了高速增长。据市场研究机构iSuppli的数据显示,2005年NAND闪存市场比2004年增长了6?%,达到109亿美元。iSuppli预计2006年NAND闪存市场还将增长55%,达到168亿美元。3C终端的融合促使NAND、NOR和DRAM应用出现融合,通过扩展产品线或者通过结盟为客户提供全面的存储解决方案,是未来内存市场的发展趋势,而这必将导致内存产业出现整合。
标签NAND
2006-04-01
英飞凌和中芯国际在90nm制程展开合作,未来将拓展到70nm
英飞凌科技和位于上海的中芯国际集成电路制造有限公司不久前签署了一项新的合作协议,根据协议,两家公司将在DRAM技术上扩大合作,这使得中芯国际拥有的英飞凌DRAM生产技术由此前的200mm(8英寸)以及110nm工艺进一步提高到300mm(12英寸)以及90nm工艺。
标签DRAM
2006-03-01
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载,每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用,推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列针对DDR2 DIMM负载进行了优化,能精确控制传输至模块上的每一个DRAM信号,从而使新寄存器的DDR2寄存存储模块的性能达到最佳。
2005-12-19
专业评论机构对几款主流DDR2产品进行评测
本文对美光、三星、英飞凌和尔必达(Elpida)等厂商生产的主要DDR2 DRAM器件的裸片尺寸和密度、单位比特成本(cost-per-bit) 进行分析与比较。
标签DRAM
2005-09-01
Hynix与ST的合资晶圆厂将于年内投产
继去年11月签署合资企业协议书后,意法半导体(ST)与现代半导体(Hynix)在中国无锡合资建立的存储器前端制造厂于4月底正式奠基
标签DRAM
2005-06-06
Hynix与ST合资存储器芯片厂在无锡奠基,年内投产
继2004年11月宣布签订合资建厂协议后,意法半导体(ST)与海力士半导体(Hynix)近日在江苏省无锡市举行了存储器芯片前端制造厂的奠基典礼。合资厂计划总投资20亿美元,意法半导体和海力士半导体的投资比例为1/3对2/3。
标签DRAM
2005-05-08
英飞凌在DRAM领域取得重大突破
日前,英飞凌科技宣布其在DRAM沟槽技术中取得重大突破,显示了70纳米工艺结构的可伸缩性
标签DRAM
2005-01-30
WEDC推出用于高速存储设备的1GB DDR SDRAM
White Electronic Designs公司(WEDC)日前推出1GB DDR SDRAM Registered ECC w/PLL
标签DRAM
2004-12-10
NAND与NOR大战一触即发,三个问题是争论焦点
手机市场长期以来一直是NOR供应商的据点,但数家NAND闪存厂商正在磨拳擦掌,准备对该市场发动攻击
标签NAND
2003-07-27
中芯国际与Elpida签订为期五年的DRAM代工协议
中芯国际与Elpida签订为期五年的DRAM代工协议
标签DRAM
2003-01-13
提高工艺水平改善内部结构,供应商极力打造下一代闪存产品
受消费电子OEM要求降低闪存工作电压的压力,以及闪存市场乐观增长前景的鼓舞,闪存供应商正将工作重点转移到采用0.13微米工艺上来,从而使工作电压降到1.8V,同时提高存储密度
标签NAND
2002-07-01
三星公司推出512Mb“堆叠式” SDRAM
三星公司近日推出的512Mb SDRAM采用了堆栈技术,新产品有两个型号的K4S510632B和K4S510732B
标签SRAM
2001-08-10
内存市场供应增长价格下降 低功耗大容量产品需求强劲
亚洲市场对内存芯片的需求十分强劲,制造商加大了对先进工艺技术的投资
标签DRAM
2001-05-27
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