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宏汇电子元件厂推出0.1nF至1nF无镉低铅陶瓷电容
宏汇电子元件厂推出KL16F103ML0型无镉低铅陶瓷电容,容值范围为0.1nF至1nF,容差为±10%或20%,适用于天线耦合、旁路或跨接等应用
标签电容
2004-04-08
东莞宏汇电子的陶瓷电容容量低达0.1nF
东莞宏汇电子元件厂的CKBU10682K0A单层陶瓷电容容量在0.1nF至0.1uF之间,精度分别为±10%、±20%或-20%/80%
标签电容
2004-04-07
宏汇电子的陶瓷电容在1nF至470nF之间
东莞宏汇电子元件厂的小型CGEU09224M12系列陶瓷电容容值范围在1nF至470nF之间,容差±10%或±20%
标签电容
2004-04-06
Honhui Electronic的陶瓷电容适用于天线耦合等应用
Honhui Electronic Components公司的WD14E472ML0陶瓷电容适用于天线耦合、线路旁通、线路跨接应用
标签电容
2003-11-04
Wanming推出厚4mm的陶瓷电容
Wanming公司为耦合电路及旁路电路等产品推出系列陶瓷电容,它们采用Y5V或Y5P绝缘材料,大小为5.2×4mm至10.5×4mm
标签电容
2003-03-05
Wanming陶瓷电容可承受2.5倍额定电压
Wanming公司推出系列低频陶瓷电容,额定电压为50V或500V,可承受2.5倍额定电压
标签电容
2002-12-02
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