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无视出售芯片业务传言,IBM升级RF芯片制程技术
在市场再度传言IBM将10亿美元出售其芯片部门给GlobalFoundries的同时,该公司正在加速量产新一代绝缘上覆硅(SOI)与硅锗(SiGe)制程,以扩大在射频(RF)芯片代工市场的占有率;该类芯片传统上大多是采用更稀有的砷化镓(GaAs)制程。
2014-06-12
拆解分析:各大存储器厂如何突破制程极限
DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限?拆解分析机构 Techinsights可不这么认为,通过对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,各大DRAM制造商跨过这道坎各有妙招,将持续朝2x纳米甚至1x纳米节点前进。
标签DRAM
2013-06-14
Sirenza的SGB系列放大器具有内部可调偏流
Sirenza Microdevices公司推出的SGB系列放大镜器扩充了该公司的硅锗产品
标签放大器
2004-02-10
NEC的SiGe双极晶体管适合于WLAN和无绳电话应用
NEC Compound Semiconductor Devices公司与NEC Electronics公司日前联合推出NESG3031型SiGe双极晶体管(BiPolar Transistor),NESG3031是采用该公司的SiGe异质结双极晶体管半导体工艺技术(UHS3)开发的
标签三极管
2003-07-25
NEC推出面向高频低噪放大器的新型硅-锗晶体管
NEC Compound Semiconductor Devices公司与NEC Electronics(Europe)公司日前宣布推出新型硅-锗(SiGe)双极晶体管NESG3031M05/NESG3031M14
标签三极管
2003-07-14
SiGe晶体管的噪声电平可与GaAs晶体管相当
该公司已经开发出一种高频SiGe晶体管,它的噪声电平可与贵重的GaAs晶体管相比
标签三极管
2003-03-25
IBM宣布全球最快硅锗晶体管,转换频率达350GHz
IBM公司声称,采用其硅锗(SiGe)工艺技术研制成功全球速度最快的新型高速晶体管,适应更广泛的应用领域
标签三极管
2002-12-28
东芝的SiGe HBT封装尺寸减小34%
东芝公司的MT4S100T和MT4S101T SiGe HBT采用TESQ封装,尺寸1.2x1.2×0.52mm
标签三极管
2002-11-21
NTT开发出频率高达341GHz的晶体管
NTT日前开发成功了fT高达341GHz的使用Inp HBT(Heterojunction Bipolar Transistor,异质结双极晶体管)
标签三极管
2001-12-24
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