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宜普电源推出半桥式氮化镓电路开发板
宜普电源转换公司推出半桥式开发板(EPC9059),专为大电流、高频的负载点(POL)应用而设,目的是利用氮化镓集成电路(eGaN IC)的优势,缩小功率转换系统的尺寸……
标签放大器
2016-02-01
安森美推出达到业界更高能效需求的能降低损耗的低压功率MOSFET
安森美半导体推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。
2014-05-26
飞兆半导体智能功率模块具有更高的功率密度和更佳的效率
飞兆半导体研发了智能功率级(SPS)模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET和功率驱动器的解决方案。该系列采用飞兆在DrMOS方面的专业技术,为高性能计算和电信系统中的同步降压DC-DC转换器等应用提供高效率、高功率密度和高开关频率性能。
2013-11-20
AOS发布最低内阻150V MOSFET,适用于通信及工业电源
万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250,为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流,太阳能微逆变器,以及通信系统中的负载点模块(POL)。
标签三极管
2013-05-14
IIC-China 2013:Micrel带来高密度、高效率、高性能电源产品
在日前举办的第十八届IIC-China展会上,Micrel重点展示了多款高密度、高效率、高性能电源产品,在展会现场,Micrel公司中国大区技术总监戴宁博士介绍了Micrel电源产品在电信和通讯消费类,工业和汽车电子领域的应用和产品优势。
2013-03-14
AOS半导体推出应用PairFET专利技术的MOSFET
集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商万国半导体有限公司(AOS),日前向全球发布AON7932。该产品应用了PairFET?专利技术,将上桥和下桥两个MOS管集成到DFN3X3的小封装里,实现了30V状态下的高密度功率输出。
2011-10-17
升特推出全球最小的4A双通道POL稳压器
升特公司(Semtech)发布其降压稳压器平台的最新器件SC286。新产品SC286是目前全球最小的4A双通道POL(负载点)稳压器,它在一只超小超薄型4 x 4 x 0.6mm封装中集成了两只降压稳压器,整体设计占位面积小于200mm2。
2011-07-18
以分立式解决方案50%的尺寸,实现最高性能的NexFET功率模块
德州仪器NexFET功率模块以分立式解决方案50%的尺寸实现最高的效率、频率以及功率密度。高性能同步器件在统一封装中堆栈2个 NexFET MOSFET可支持高电流、多相位POL应用。
2010-06-13
安森美半导体集成肖特基二极管的30V MOSFET问世
安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,达致更高电源能效。
标签三极管
2010-04-12
业界唯一能工作到0.9V的最低功耗无线MCU
IIC-China春季展上一大批新产品让参展者大呼不虚此行,包括:业界唯一能工作到0.9V的最低功耗无线MCU、集成PFC和容性模式保护等功能的半桥谐振控制器、效率高达92%并符合DrMOS规定的MOSFET模块、效率高达95%的5×5mm 10A降压稳压器、功率因数大于0.95的TRIAC调光LED驱动器、行业首批商用氮化镓集成功率级器件。
2010-04-01
IR IR3870M集成稳压器为DC-DC应用带来最大系统效率
国际整流器公司 (IR) 推出IR3870M SupIRBuck 集成稳压器,适用于笔记本和台式电脑、游戏机以及消费电子应用,如机顶盒、通用型负载点 (POL) DC-DC转换器等。
2010-01-14
安森美半导体推出24款新的高密度沟槽MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
标签三极管
2009-11-02
主攻高效、环保与封装技术,功率器件持续走俏
随着大家对环保的意识增强,市场对产品的效率要求越来越高,而MOSFET、IGBT作为电源系统的关键器件,对于效率的提高起着至关重要的作用。 在未来一段时间内,家电、通信、绿色照明、汽车等都会促进功率器件的增长。
2009-09-01
TI最新降压DC/DC转换器满足高密度服务器苛刻要求
如今新行的一些PCI、ATCA等架构标准对服务器的密度、效率和尺寸提出了越来越苛刻的要求,因此在日益增加的PCB密度下,留给负载点(POL)的空间变得越来越狭小。针对此种趋势,TI推出一款集成FET的极小尺寸和效率达95%的6 A、17 V 同步降压转换开关,特别适合于为这些新型服务器或电信设备中的深亚微米DSP、FPGA和ASIC等器件供电。
2009-07-23
Vishay SiZ700DT将高、低MOSFET集成在同一封装
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。
标签三极管
2009-06-26
Vishay推出采用TurboFET技术MOSFET SiS426DN和SiR496DP
Vishay Intertechnology, Inc.推出两款20V和两款30V n通道器件SiS426DN和SiR496DP,这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-08
Vishay推出新型20V n通道功率MOSFET SiR440DP
日前,威世(Vishay Intertechnology, Inc.)推出一款新型20V n通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。ishay还推出了新型20V SiR866DP和SiR8?0DP n通道功率MOSFET。这些器件在4.5V时分别提供2.5mΩ与4mΩ的导通电阻,在10V时为1.9mΩ及2.9mΩ。
2008-12-04
飞兆推出TinyBuck DC-DC稳压器FAN2108
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出TinyBuck DC-DC稳压器FAN2108,能够协助电源设计人员在小的PCB空间里实现较高的输出电流和高效率。FAN2108是完全集成的8A同步降压转换器,可在宽泛的输入电压范围(3V至24V)提高效率,适用于机顶盒、图形卡、负载点(POL)和工业电源网络设备等应用。
2008-11-19
Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件,从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言,该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-27
加强型MOSFET PolarPAK封装有助于提高电源转换应用的电流密度
近来,在采用AC-DC电源和负载点转换器的固定电信应用中,功率密度将会翻上一番。对于所有这些DC-DC应用,更大的电流和小型化将导致需要减少稳压器电路的相数,同时增加每相的电流。一种有助于实现这种更高电流密度的方法是并行使用更大的功率MOSFET,这样它们就可以共享电流。
2008-09-26
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