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Microchip推出4 Kb串行存在检测EEPROM器件
Microchip宣布推出新一代4 Kb I2C 串行存在检测(Serial Presence Detect,简称SPD)EEPROM器件34AA04。新器件专门设计用于支持高速PC和笔记本电脑中的新一代双倍数据数率4(Double Data Rate 4,简称DDR4)SDRAM模块,同时也支持上一代DDR2/3平台。
标签EEPROM
2014-04-24
A5处理器细节揭秘:与A4异同大对比
“我们能百分百的确定这是三星制造的芯片,”TechInsights的技术市场经理Allan Yogasingam说。这家公司对芯片进行了横截面分析,信息显示为三星45纳米工艺制造,和苹果前一代A4系统芯片工艺和制造厂相同。
标签CPU
2011-03-17
IIC-China 2010秋季展上值得留意的新产品和参展商
作为全球和中国电子业的风向标,IIC秋季展将在深圳、西安两地召开,吸引海内外半导体厂商竞相登场。
2010-08-31
美光新型内存为基于英特尔处理器的平板电脑带来关键优势
美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel凌动的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。
标签CPU
2010-08-03
美光新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本
美光推出新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本,新型2Gb 50纳米DDR2内存,为即将上市的英特尔Intel 凌动平台带来关键优势。
标签DRAM
2010-08-02
移动DDR2将把DRAM扩展到手机以外领域
在2010年总体移动DRAM出货量中,预计约有80%是DDR。但是,随着DDR2在2011年下半年成为主导技术,这种情况将迅速发生变化。这些出货量包括手机和其它类型的移动产品。
标签DRAM
2010-06-17
赛灵思和ARM联手出击,英特尔嵌入式市场前景不明
赛灵思全球市场营销与业务开发高级副总裁Vin Ratford表示:“嵌入式市场现在需要的是一个新型的嵌入式处理平台,因为传统的微处理器/ASIC/ASSP+DSP+FPGA的处理架构已不能满足新的系统需求。”
标签FPGA
2010-05-18
瑞萨2010年继续推进汽车导航和信息娱乐
2009年是中国汽车市场的丰收年。金融危机的逆流挫败不了发展的大势,中国在这一年一举成为全球第一大汽车生产国和消费国。进入2010年第一季度,中国汽车市场仍持续保持着50%以上的高增长率。当全世界为此惊艳的同时,那些耕耘于汽车电子领域的半导体厂商们也因此受益匪浅。瑞萨电子(上海)有限公司汽车电子市场与工程技术中心副总经理杨峥嵘详细总结了瑞萨科技在2009年汽车领域所取得的成绩。谈及2010年,杨峥嵘指出,瑞萨会将汽车导航与汽车信息娱乐系统作为2010年的发展重点,并且会针对发动机排放国Ⅳ、国Ⅴ标准进行相应的产品结构调整。
2010-05-04
用中档FPGA实现高速DDR3存储器控制器
由于系统带宽不断的增加,因此针对更高的速度和性能,设计人员对存储技术进行了优化。下一代双数据速率(DDR)SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的优势。这些器件的功耗更低,能以更高的速度工作,有更高的性能(2倍的带宽),并有更大的密度。与DDR2相比,DDR3器件的功耗降低了30%,主要是由于小的芯片尺寸和更低的电源电压(DDR3 1.5V而DDR2  1.8V)。 DDR3器件还提供其他的节约资源模式,如局部刷新。
标签DRAM
2010-03-22
瑞泰创新展示基于TI半导体方案的开发平台
北京瑞泰创新公司展示的ICETEK-OMAP3530-MINI充分发挥了OMAP 3应用处理器的性能,为OMAP3平台的普及贡献力量。
2009-03-23
S2C在中国推出Northwest Logic存储器接口IP
S2C宣布代表Northwest Logic公司,在中国地区推广其产品。Northwest Logic是一家提供高性能数字IP内核的领先供应商。其IP内核包括了: DDR3/DDR2/DDR SDRAM, RLDRAM, MIPI, PCI Express, PCI-X, PCI等。S2C将为Northwest的IP用户在不同的设计阶段中提供增值服务。
2009-03-04
存储市场经历严冬考验,多元化发展是出路
2008年全球经济大滑坡,半导体行业受经济衰退冲击影响最深的是存储市场。2009年存储市场何去何从?最有发言权的恐怕是经历过存储器价格跌宕起伏、正在谋求出路的存储器供应商。
标签EEPROM
2008-12-01
存储器件供应过剩,2008年将黯然收尾
据市场调研公司Gartner的最新报告,由于DRAM市场仍然受渠道库存过多所累,且PC需求放缓,现货价格连续第12周下滑,1-Gb DDR2目前报价是1.00美元。一年以前,1-Gb DDR2的价格高于2.60美元,但从那时到现在已累计下跌了62%。
标签DRAM
2008-11-14
TI推出首款锁相环集成式DDR3寄存器量产版本
德州仪器 (TI) 宣布推出首款针对寄存式双列直插式存储器模块(RDIMM)的锁相环 (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量产版本SN74SSQE32882。该器件在广泛的电压与温度范围内实现了恒定的时钟与输出延迟,从而实现了较高的系统稳定性。
2008-04-30
Microchip推出用于DDR2及DDR3 DIMM模块的SPD EEPROM
Microchip推出全新系列串行存在检测(SPD)EEPROM器件。它们既能支持现今高速个人计算机中最新的DDR2 DIMM模块,还可支持未来的DDR3 DIMM模块。新器件编号分别为34AA02、34LC02以及34VL02(34XX02),符合SPD EEPROM器件最新的JEDEC标准。
标签EEPROM
2008-03-20
三星宣称率先推出60纳米制程DRAM 性能表现提高20%
三星电子日前宣布,该公司已经开发出业界首款“60纳米级别”2GB容量DDR2 DRAM。与80纳米制程的2Gb容量DDR2相比,“60纳米级别”内存运行速度为每秒800兆位,将DRAM的性能表现提高了20%。
标签DRAM
2007-09-14
意法推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
2007-09-11
赛灵思Virtex-5 FPGA器件与DDR3存储技术实现互操作
可编程逻辑解决方案厂商赛灵思公司日前宣布其Virtex-5 FPGA器件已顺利实现了与存储器供应商的800Mbps DDR3 SDRAM器件的互操作性。
标签FPGA
2007-08-03
IDT与TI的3G基站开发平台AMC70K2000可加速开发进程
IDT公司宣布已与德州仪器合作开发出强大的3G基站开发平台AMC70K2000,该平台提供各种适合基带处理演示的不同硬件和软件组合。该产品包括1个AMC和快速设置、初始化和对PPS功能进行在线评估所需的所有软件。有助于用户通过着手任务关键软件编程及快捷的早期原型来加速上市时间。
2006-12-08
英特尔发布新一代Bensley平台,电源厂商和内存厂商稳步跟进
每一次英特尔创新平台的推出,必将会带动周边器件厂商的一次大革新,这一次Bensley平台的推出也不例外。它要求全新的FB-DIMM内存技术和全新的电源管理技术。为此,奇梦达公司(由英飞凌科技公司分拆出来的全新内存公司)和Intersil等公司早已作好准备,在英特尔新的平台推出之际能大规模量产相配套的器件。
2006-07-01
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