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DDR2 512Mb eTT 搜索结果

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2009年全球DRAM产业资本支出预估削减40%-50%
现货市场方面DDR2 1G eTT自十二月中开始起涨,颗粒价格从低点的0.59美元上涨至今0.91美元,涨幅将近55%,DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多让,价格也从0.58美元上涨至0.77美元,涨幅约33%。
2009-01-07
NAND Flash需求疲弱,SSD市场未如预期
DRAM颗粒价格情依然抵文件不住现货市场需求的疲弱,跌幅虽比上周好转,但仍呈现下跌的走势,上周(12/02-12/08)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.67美元下滑至0.61美元,跌幅约9%,而DDR2 667MHz 1Gb亦从0.6?美元下滑至0.61美元,跌幅约5%。
2008-12-10
2009年NAND Flash位需求增长93%
DRAM现货行情频破历史新低价,上周(11/25-12/01)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.8美元下滑至0.68美元,单周跌幅达15%,十一月份单月跌幅更高达34%,DDR2 512Mb eTT颗粒价格亦同步下挫,价格从0.39美元下滑至0.35美元,跌幅约10%,仅十一月份跌幅已高达33%。
2008-12-03
NAND Flash品牌厂商2008年第三季营收排行
十月开始随着各台系DRAM厂财报陆续出炉,第三季的亏损随着颗粒价格持续下跌而扩大,力晶、茂德、南科与华亚科分别净损了150亿、87.9亿、87.7亿与40.5亿台币,第三季合计亏损了近366亿,前三季台系DRAM厂共亏了908亿左右。
2008-11-05
DRAM减产推动现货价格攀升约6%
力晶自九月八日正式宣布将于第四季减少DRAM产出约10%-15%后,尔必达亦在九日宣布减产10%的DRAM产出(日本广岛工厂),以目前力晶和尔必达的DRAM产能来分析,分别为十三万片与十一万五千片,合计全球市占率约20%,预计所减少的产能约占全球DRAM产出的2%-2.5%左右。
2008-09-17
旺季不旺,DRAM现货市场表现清淡
上周现货市场自八月七日DDR2 eTT跌破1.8美元的信心关卡后,价格呈现疲弱走势,未见任何的反弹力道,集邦科技统计8/12-8/18的现货价格,eTT价格方面,DDR2 eTT 512Mb从0.81美元下跌至0.78美元,跌幅约3.7%。
2008-08-20
NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖
上周现货市场依然延续平稳的价格走势,价格表现疲软且交投相当低迷,DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势,DRAMeXchange统计7/22-7/28的现货价格,eTT价格方面,DDR2 eTT 512Mb呈现平稳的表现,价格维持在0.86美元,而DDR2 eTT 1Gb也从1.80美元上涨至1.82美元,涨幅约1.1%。而品牌颗粒的部分,DDR2 667 512Mb从0.95美元下跌至0.94美元,跌幅约1.1%,而DDR2 667 1Gb从1.96美元下跌至1.94美元,跌幅也约1.0%。
2008-07-30
NAND Flash价格短期止跌回稳
现货市场DDR2 eTT 512Mb 与DDR2 eTT 1Gb价格自上周(7/7-7/11)大幅滑落之后,DRAM价格就呈现价跌量缩的走势,DRAMeXchange统计自7月1日至7月14日为止的eTT现货价,DDR2 eTT 512Mb从0.97美元下跌至0.91美元,跌幅约6.2%,而DDR2 eTT 1Gb也从1.95美元下跌至1.84美元,跌幅约5.6%。而品牌颗粒的部分,DDR2 667 512Mb与DDR2 667 1Gb的跌幅也约在2.9%与5.9%。
2008-07-16
集邦:DDR2 512Mb价格可望重回1美元关卡
根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新报告,2008年开春第一周,DDR2 512Mb eTT现货价维持在0.84-0.85美元狭幅整理格局,并于第二周开始反弹,从1/7的0.84美元上涨9.5%至1/14的0.92美元;同时DDR2 1Gb eTT涨幅也有6.4%,由1.72美元上涨至1.83美元。
标签DRAM
2008-01-18
台系DRAM厂实施岁修 有助08年第一季价格反弹
上周(12/10-12/17)现货市场仍受市场需求不佳的影响,DDR2 512Mb eTT价格小幅下滑至0.78美元,跌幅1.2%,DDR2 1Gb eTT颗粒收在1.70美元,跌幅约7.1%。
标签DRAM
2007-12-20
遏止DRAM价格续跌 大厂减产是解决之道
集邦科技(DRAMeXchange)发表最新DRAM市场研究报告指出,上周(12/3-12/10)现货市场呈现近期少见的震荡格局,DDR2 512Mb eTT颗粒价格曾一度突破0.9美元,最后收在0.79美元,跌幅2.4%;而DDR2 1Gb eTT颗粒也曾强势上涨至1.92美元,最后收在1.83美元,涨幅10.9%。
标签DRAM
2007-12-14
DDR2逼近变动成本 预计价格反弹近期可待
上周(11/26-12/3)现货市场仍延续近期的价格走势,DDR2 512Mb eTT颗粒虽然小幅下跌,但已有支持的力道出现,收在0.81美元,跌幅约1.2%;而DDR2 1Gb eTT颗粒价格则滑落至1.61美元,跌幅约1.8%;品牌颗粒DDR2 1Gb的价格小幅下跌2.41%,收在1.96美元。
标签DRAM
2007-12-07
DDR2 1Gb eTT跌破2美元 明年第二季将为主流
现货市场持续走弱,DDR2 512Mb eTT颗粒下滑至0.93美元,跌幅约2.1%;而DDR2 1Gb eTT颗粒价格正式跌破2.0美元,最后收在1.91美元,跌幅约9.0%。
标签DRAM
2007-11-23
DRAM十月下旬合约价持续下跌 eTT现货价急涨12%
上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面,DDR2 512Mb eTT价格收在1.17美元,涨幅约11.9%;相比之下,品牌颗粒仍呈现平稳走势,上涨至1.37美元,幅度为1.4%。
标签三极管
2007-10-25
DRAM现货市场持续走弱 合约市场交易冷清
现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2 512Mb eTT跌至1美元左右的新低价之后,暂时止跌并微幅反弹,在1.02至1.05美元震荡,以1.03美元做收,跌幅为5.5%;DDR2 512Mb 667MHz则滑落至1.35美元,下跌2.9%。
标签DRAM
2007-10-19
集邦:9月下旬DRAM合约价格预计下滑10%
DRAM现货市场需求不佳,整体报价呈现下跌的情形。DDR2 512Mb 667MHz下跌幅度达7.8%,价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌,DDR2 eTT下跌至1.31美元。
标签DRAM
2007-09-24
DDR2 eTT价格上扬 现货市场品牌颗粒看涨
根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)发布的最新报告,近期DRAM现货市场报价出现大幅上涨走势,DDR2 eTT颗粒上涨至2.07美元,涨幅达29.4%。而品牌颗粒DDR2 512Mb 6?M*8则上涨至2.06美元。
标签DRAM
2007-06-27
DRAM价格或将触底,NAND供应商加快开发内置产品
据Dramexchange消息,4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右,这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季,PC厂商将增加库存,预计DRAM需求将随之增长。因此,DRAM价格可能在2007年下半年触底。
标签DRAM
2007-04-30
【一周行情】DRAM价格下滑幅度减缓 NAND市场价格易涨难跌
DRAM厂库存水位逐渐降低,将有助于减缓DRAM价格下滑幅度;NAND Flash短期内供应端产出不足,市场价格易涨难跌。DRAMeXchange消息,在DRAM厂低价出清库存下,4月上旬合约价格下跌至22至24美元。而厂商的库存水位逐渐下降到正常水位后,DRAM产业结构转趋健康。以4月上旬的合约价格来看,成本结构偏高的DRAM厂商将蒙受不小的亏损,甚至已接近部份厂商的cash cost。因此若价格持续下跌,将有部份厂商减少生产DRAM,对于DRAM产业而言价格下滑的空间将会有限。
标签DRAM
2007-04-16
春节长假闪存库存见底,NAND现货价短期有望反弹
集邦科技(DRAMeXchange)表示:三月上旬DRAM合约价持续下跌,继二月份DDR2 512MB 667MHz模块价格跌破40美元之后,三月上旬则跌破了35美元。大相径庭的,上周NAND Flash现货市场价格呈现反弹上扬的局势,尤其是高容量8Gb和16Gb的价格有单日涨幅超过8%的纪录。
标签NAND
2007-03-12
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