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2009年全球DRAM产业资本支出预估削减40%-50% 现货市场方面DDR2 1G eTT自十二月中开始起涨，颗粒价格从低点的0.59美元上涨至今0.91美元，涨幅将近55%，DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多让，价格也从0.58美元上涨至0.77美元，涨幅约33%。标签存储器件	2009-01-07
NAND Flash需求疲弱，SSD市场未如预期 DRAM颗粒价格情依然抵文件不住现货市场需求的疲弱，跌幅虽比上周好转，但仍呈现下跌的走势，上周(12/02-12/08)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.67美元下滑至0.61美元，跌幅约9%，而DDR2 667MHz 1Gb亦从0.6?美元下滑至0.61美元，跌幅约5%。标签存储器件	2008-12-10
2009年NAND Flash位需求增长93% DRAM现货行情频破历史新低价，上周(11/25-12/01)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.8美元下滑至0.68美元，单周跌幅达15%，十一月份单月跌幅更高达34%，DDR2 512Mb eTT颗粒价格亦同步下挫，价格从0.39美元下滑至0.35美元，跌幅约10%，仅十一月份跌幅已高达33%。标签存储器件	2008-12-03
NAND Flash品牌厂商2008年第三季营收排行十月开始随着各台系DRAM厂财报陆续出炉，第三季的亏损随着颗粒价格持续下跌而扩大，力晶、茂德、南科与华亚科分别净损了150亿、87.9亿、87.7亿与40.5亿台币，第三季合计亏损了近366亿，前三季台系DRAM厂共亏了908亿左右。标签存储器件	2008-11-05
DRAM减产推动现货价格攀升约6% 力晶自九月八日正式宣布将于第四季减少DRAM产出约10%-15%后，尔必达亦在九日宣布减产10%的DRAM产出（日本广岛工厂），以目前力晶和尔必达的DRAM产能来分析，分别为十三万片与十一万五千片，合计全球市占率约20%，预计所减少的产能约占全球DRAM产出的2%-2.5%左右。标签存储器件	2008-09-17
旺季不旺，DRAM现货市场表现清淡上周现货市场自八月七日DDR2 eTT跌破1.8美元的信心关卡后，价格呈现疲弱走势，未见任何的反弹力道，集邦科技统计8/12-8/18的现货价格，eTT价格方面，DDR2 eTT 512Mb从0.81美元下跌至0.78美元，跌幅约3.7%。标签存储器件	2008-08-20
NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖上周现货市场依然延续平稳的价格走势，价格表现疲软且交投相当低迷，DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势，DRAMeXchange统计7/22-7/28的现货价格，eTT价格方面，DDR2 eTT 512Mb呈现平稳的表现，价格维持在0.86美元，而DDR2 eTT 1Gb也从1.80美元上涨至1.82美元，涨幅约1.1%。而品牌颗粒的部分，DDR2 667 512Mb从0.95美元下跌至0.94美元，跌幅约1.1%，而DDR2 667 1Gb从1.96美元下跌至1.94美元，跌幅也约1.0%。标签存储器件	2008-07-30
NAND Flash价格短期止跌回稳现货市场DDR2 eTT 512Mb 与DDR2 eTT 1Gb价格自上周(7/7-7/11)大幅滑落之后，DRAM价格就呈现价跌量缩的走势，DRAMeXchange统计自7月1日至7月14日为止的eTT现货价，DDR2 eTT 512Mb从0.97美元下跌至0.91美元，跌幅约6.2%，而DDR2 eTT 1Gb也从1.95美元下跌至1.84美元，跌幅约5.6%。而品牌颗粒的部分，DDR2 667 512Mb与DDR2 667 1Gb的跌幅也约在2.9%与5.9%。标签存储器件	2008-07-16
集邦：DDR2 512Mb价格可望重回1美元关卡根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新报告，2008年开春第一周，DDR2 512Mb eTT现货价维持在0.84-0.85美元狭幅整理格局，并于第二周开始反弹，从1/7的0.84美元上涨9.5%至1/14的0.92美元；同时DDR2 1Gb eTT涨幅也有6.4%，由1.72美元上涨至1.83美元。标签DRAM	2008-01-18
台系DRAM厂实施岁修有助08年第一季价格反弹上周(12/10-12/17)现货市场仍受市场需求不佳的影响，DDR2 512Mb eTT价格小幅下滑至0.78美元，跌幅1.2%，DDR2 1Gb eTT颗粒收在1.70美元，跌幅约7.1%。标签DRAM	2007-12-20
遏止DRAM价格续跌大厂减产是解决之道集邦科技(DRAMeXchange)发表最新DRAM市场研究报告指出，上周(12/3-12/10)现货市场呈现近期少见的震荡格局，DDR2 512Mb eTT颗粒价格曾一度突破0.9美元，最后收在0.79美元，跌幅2.4%；而DDR2 1Gb eTT颗粒也曾强势上涨至1.92美元，最后收在1.83美元，涨幅10.9%。标签DRAM	2007-12-14
DDR2逼近变动成本预计价格反弹近期可待上周(11/26-12/3)现货市场仍延续近期的价格走势，DDR2 512Mb eTT颗粒虽然小幅下跌，但已有支持的力道出现，收在0.81美元，跌幅约1.2%；而DDR2 1Gb eTT颗粒价格则滑落至1.61美元，跌幅约1.8%；品牌颗粒DDR2 1Gb的价格小幅下跌2.41%，收在1.96美元。标签DRAM	2007-12-07
DDR2 1Gb eTT跌破2美元明年第二季将为主流现货市场持续走弱，DDR2 512Mb eTT颗粒下滑至0.93美元，跌幅约2.1%；而DDR2 1Gb eTT颗粒价格正式跌破2.0美元，最后收在1.91美元，跌幅约9.0%。标签DRAM	2007-11-23
DRAM十月下旬合约价持续下跌 eTT现货价急涨12% 上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2 512Mb eTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%；相比之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。标签三极管	2007-10-25
DRAM现货市场持续走弱合约市场交易冷清现货市场DDR2价格方面持续走弱；而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2 512Mb eTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%；DDR2 512Mb 667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。标签DRAM	2007-10-19
集邦：9月下旬DRAM合约价格预计下滑10% DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2 512Mb 667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2 eTT下跌至1.31美元。标签DRAM	2007-09-24
DDR2 eTT价格上扬现货市场品牌颗粒看涨根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)发布的最新报告，近期DRAM现货市场报价出现大幅上涨走势，DDR2 eTT颗粒上涨至2.07美元，涨幅达29.4%。而品牌颗粒DDR2 512Mb 6?M*8则上涨至2.06美元。标签DRAM	2007-06-27
DRAM价格或将触底，NAND供应商加快开发内置产品据Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右，这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季，PC厂商将增加库存，预计DRAM需求将随之增长。因此，DRAM价格可能在2007年下半年触底。标签DRAM	2007-04-30
【一周行情】DRAM价格下滑幅度减缓 NAND市场价格易涨难跌 DRAM厂库存水位逐渐降低，将有助于减缓DRAM价格下滑幅度；NAND Flash短期内供应端产出不足，市场价格易涨难跌。DRAMeXchange消息，在DRAM厂低价出清库存下，4月上旬合约价格下跌至22至24美元。而厂商的库存水位逐渐下降到正常水位后，DRAM产业结构转趋健康。以4月上旬的合约价格来看，成本结构偏高的DRAM厂商将蒙受不小的亏损，甚至已接近部份厂商的cash cost。因此若价格持续下跌，将有部份厂商减少生产DRAM，对于DRAM产业而言价格下滑的空间将会有限。标签DRAM	2007-04-16
春节长假闪存库存见底，NAND现货价短期有望反弹集邦科技(DRAMeXchange)表示：三月上旬DRAM合约价持续下跌，继二月份DDR2 512MB 667MHz模块价格跌破40美元之后，三月上旬则跌破了35美元。大相径庭的，上周NAND Flash现货市场价格呈现反弹上扬的局势，尤其是高容量8Gb和16Gb的价格有单日涨幅超过8%的纪录。标签NAND	2007-03-12

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