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把握市场脉搏,新型存储器蓄势待发
随着微处理器主频迅速发展到目前的4GHz以上,并由单核转向多核;同时网络传输速率正迈向更高速的40Gbit/s和100Gbit/s,存储器的性能成为了计算机系统中的性能“瓶颈”,促使人们努力去探索更多的新型存储器件。这其中就包括磁阻内存(MRAM)、相变内存(PCRAM/PCM)、铁电随机存取内存(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM)等等,它们各有的应用特点,可担任不同的功能角色。
标签DRAM
2014-11-05
半导体厂商资本支出战争愈演愈烈
2014年半导体产业好年冬,各厂纷纷调升资本支出,半导体三巨头台积电、三星电子、英特尔资本支出维持高档,GlobalFoundries、SK海力士、中芯国际、东芝、华亚科、华邦等也都调升资本支出,晶圆代工厂产能满载,DRAM和……
2014-08-08
移动存储器市场一片晴好,2014技术革新成制胜关键
整体而言,2013年DRAM产业结构调整已经迈向尾声,今年产值增长有望大幅增长30%,明年产业也将趋向稳健成长。NAND Flash方面,市场供需状况大幅改善,价格走势稳定,预计2013年整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收窄的利好下也大幅成长。
2013-07-03
从eSummit2012看硅谷半导体产业创新力
尽管经济大环境仍不乐观,但美国硅谷半导体公司的创新脚步并未停歇。在Globalpress Connection主办的2012年度Electronics Summit(eSummit2012)峰会上,来自硅谷的近20家半导体及EDA公司分享了他们对新技术、新市场以及半导体产业发展前景的见解。本文梳理出此次峰会的亮点,与读者分享硅谷半导体产业的创新能力与市场热点。
标签FPGA
2012-07-03
从eSummit2012看硅谷半导体产业创新力与市场热点
尽管经济大环境仍不乐观,但美国硅谷半导体公司的创新脚步并未停歇。在Globalpress Connection主办的2012年度Electronics Summit(eSummit2012)峰会上,来自硅谷的近20家半导体及EDA公司分享了他们对新技术、新市场以及半导体产业发展前景的见解。本文梳理出此次峰会的亮点,与读者分享硅谷半导体产业的创新能力与市场热点。
2012-06-01
苹果转单,海力士NAND事业仍不如三星赚得多
全球最大内存制造商三星电子(Samsung Electronics)受主要客户苹果(Apple)将NAND Flash大部分订单转予海力士(Hynix)的影响, 2011年第四季 NAND Flash 营收较前季约减少5%,但三星NAND Flash事业营业利益率应仍有35%,估计海力士NAND Flash营业利益率仅维持在17%。
标签NAND
2012-03-13
2011中国“手机十大元器件”新闻及展望
今年踩上了智能机节拍的公司,收获的也只是苦笑,虽然在出货量上直冲云霄,但是打得比中端功能机还低的利润,让智能机市场一开始就进入一场恶性的价格战之中,他们对于明年的利润,很大程度上寄托在文中的“手机十大器件”上面了。。。。
2011-12-26
2011年DRAM均价将跌三成,众厂商加大投入搏竞争力
针对 DRAM 厂明年获利分析,集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出,明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降, DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者,今年营业利益率平均为36%,明年平均为26%。
标签DRAM
2010-07-05
英特尔联手美光推出3bps NAND,剑指消费存储设备
英特尔公司(Intel)和美光科技股份有限公司(Micron)近日宣布,双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺,推出每单元储存3比特(3-bit-per-cell,简称3bps)的多层单元(MLC)NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备,在这类应用场合中,高密度和性价比是首要考虑的问题。
标签NAND
2009-08-15
美光推出新型34纳米高密度NAND产品
美光科技有限公司(Micron)日前宣布使用其34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。新设计的32Gb多层单元(MLC)NAND闪存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片仅仅占用84mm2的面积,以超小型封装提供高容量。
标签NAND
2009-07-07
iPhone 3GS拆解报告:博通与东芝赢得订单
第三代苹果iPhone的拆机分析结果显示,部分由于采用了博通和东芝的芯片,这款手机的集成度更高,而且可能成本更低。一位分析师因此调侃说,iPhone 3GS中的“S”可能代表“Savings(节省)”。尔必达也首次打入iPhone 3GS,其DRAM裸片出现在两个芯片堆叠之中。尔必达和东芝已经取代三星电子,成为该款手机的闪存与DRAM供应商。
标签DRAM
2009-06-24
美光闪存技术创新获半导体Insight奖
美光科技股份有限公司(Micron)宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“最具创新性工艺技术”奖,其1Gb、50纳米的DDR2获得“最具创新性DRAM技术”奖。
2009-04-17
美光闪存技术创新获Semiconductor Insights认可
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)宣布,美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得Semiconductor Insights公司(简称SI公司)认可,进入SI第八届Insight 年度大奖的最终评选。
2009-03-23
美光发布其高密度系列BA NAND闪存
美光(Micron)科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存,可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案,使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合,无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。
标签NAND
2009-03-17
美光全集成MCP解决方案可供高端手机使用
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)日前宣布,目前正推出业界密度最大的全集成式NAND多芯片封装(MCP)试用产品,这套解决方案含有16GB的多层单元(MLC)NAND,可供高端手机使用。该MCP产品充分利用美光业界一流的32Gb 34纳米多层单元NAND技术,从而使公司能够在单一封装中实现这样高的密度。
标签NAND
2009-02-13
SanDisk与东芝将推出32纳米NAND闪存
在不断寻求NAND闪存领域的领先技术,SanDisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而SanDisk的合作伙伴,东芝(Toshiba)公司也据称将要在2009年下半年发布纳米的NANA芯片。其他公司或许也会推出最先进的NAND产品,但真正的问题在于,是否或者何时整个行业会复苏。
标签NAND
2009-01-15
英特尔-美光推出34纳米NAND,业界对此褒贬不一
英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。
标签NAND
2008-06-02
全球市场疲弱,PC龙头净利润下滑;芯片强劲需求,通信老大销售上扬
英特尔日前公布2006年第一季度的业绩,收入8?亿美元,营业收入17亿美元,净利润13亿美元,每股收益(EPS)23美分。英特尔认为,过去几个季度的PC市场增速趋缓,因而导致芯片出货量减少,影响了公司上半年的收入。
标签CPU
2006-04-24
尽管Q4利润下滑,三星仍增加研发和资本投资
全球第二大芯片制造商――韩国三星电子(Samsung Electronics)日前表示,2004年第四季度净利低于第三季度
标签LCD Panel
2005-01-19
业界对NAND闪存供需前景看法分歧
对于NAND闪存市场的供需前景,不同的人有迥然不同的看法
标签NAND
2003-06-28
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