中芯国际进军RRAM存储,蚕食三星40nm产能

上网时间: 2016年03月16日? 我来评论 【字号: ? ?小】

近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。

作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

中芯国际进军RRAM存储,蚕食三星40nm产能_ESMCOL_1

中芯国际曾发展过130nm到65nm制程的NOR闪存,2014年自主研发的38nm制程取得突破,继而转向更加先进的NAND闪存,将使用40nm工艺代工PRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。

RRAM元件能够集成到标准的CMOS逻辑工艺当中,在标准CMOS晶圆的两条金属线之间。这将促成高度集成的非易失性存储器解决方案的实现,将片上非易失性存储器、处理器核、模拟及射频集成在一个单独的芯片上。

高度集成的MCU及SoC设计厂商需要非易失性存储器技术,Crossbar的RRAM CMOS兼容性及对更小工艺尺寸的可扩展性使非易失性存储器组件在更低工艺节点的MCU和SoC中集成成为可能。

中芯国际能够帮助Crossbar摊薄芯片成本,缩短入市时间。

目前,中国半导体政策目前主攻存储器产业,2015年以来也透过不断并购相关供应链来加快成长脚步,晶圆产能扩充积极。中国半导体政策持续带给三星存储器部门一定的竞争压力,势必分散三星在晶圆代工产业的专注度。

中芯国际进军RRAM存储,蚕食三星40nm产能_ESMCOL_2
最深度电子市场行情趋势报道,请关注“国际电子商情”公众号

标签 EEPROM??

[ 投票数:? ] 收藏 ??? 打印版 ??? 推荐给同仁 ??? 发送查询 ??? ?订阅杂志

评论
免费订阅资讯速递
信息速递-请选择您感兴趣的技术领域:
  • 安防监控
  • 便携设备
  • 消费电子
  • 通信与网络
  • 分销与服务
  • 制造与测试
  • 工业与医疗
  • 汽车电子
  • 计算机与OA
  • 电源管理
  • 无源器件与模组
  • 新能源
  • 供应链管理
论坛速递
相关信息
  • 什么是三星代工?
  • 国际电子商情提供相关三星代工技术文章及相关三星代工新闻趋势,及更新最新相关三星代工电子产品技术

  • 什么是RRAM存储器?
  • 国际电子商情提供相关RRAM存储器技术文章及相关RRAM存储器新闻趋势,及更新最新相关RRAM存储器电子产品技术

  • 什么是中芯国际40nm?
  • 国际电子商情提供相关中芯国际40nm技术文章及相关中芯国际40nm新闻趋势,及更新最新相关中芯国际40nm电子产品技术

?新浪微博推荐
Global Sources


编辑推荐
?大家正在说


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
电子元器件数据手册下载
数据手册搜索

Datasheets China.com

《汽车电子特刊》

汽车电子系统在现代的汽车中占有的比重越来越高,对产品设计的工程师来说,产品的设计和验证面临着很多的挑战。本期《汽车电子特刊》将会向您呈现ADI技术对于汽车电子行业的应用等,还有IIC汽车电子论坛的精彩回顾哦!

扫一扫,关注最新资讯

esmc