高通巨资建厂为了转换RF器件工艺?

上网时间: 2016年02月02日? 我来评论 【字号: ? ?小】

据台湾《经济日报》报道称,高通(Qualcomm)功率放大器(PA)等射频(RF)元件策略出现转向,计划由台积电COMS工艺代工转为砷化镓工艺制造。此前,高通将骁龙820手机芯片全部订单交由三星电子代工。

高通2014年推出自家的射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS工艺的PA,具低成本优点,由台积电以八寸厂制造,再搭配自家手机芯片出货,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)工艺不同。

近日,高通刚刚宣布与日本零组件大厂TDK合资,拟在新加坡设立新公司“RF360 Holdings Singapore”,其中TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS,会将部分业务分拆出来成立“RF360”。

高通执行长莫伦科夫(Steve Mollenkopf)回应时表示,与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化镓PA)将于2017年生产,这是一个比较合适的时间点,届时会再寻找合适的应用市场。

从莫伦科夫说法来看,高通旗下RF元件采用的PA工艺,将由现行CMOS转向砷化镓,在这个架构下,未来势必还要调整代工厂,由目前的台积电转至稳懋、宏捷科这类的砷化镓代工厂。

由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA,市场预期,今年会开始寻找合适代工厂,最快年底就会有样品,明年就能上市。

在智能手机进入4G时代,使用PA颗数至少七至八颗,比3G手机多出一到两颗,加上这两年4G手机数量呈跳跃式成长,带动一波RF元件动能。

相较高通推出自家PA等RF元件,竞争对手联发科则是采合作方式,在手机公板上认证Skyworks、Avago、RFMD及陆厂Vanchip的元件,避免周边零组件供应出现长短脚现象。

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