大基金如何分配IC产业蛋糕？国外原厂在观望

为扶植本土半导体产业，中国祭出了“大基金”策略，但那就像是威力球(Powerball)彩券，尽管巨额资金吸引半导体厂商跃跃欲试，却不知道如何能赢。

中国晶圆代工大厂中芯国际(SMIC)提供自家的案例：该公司取得了65纳米与45纳米工艺技术授权以求快速上市，却没有修改工艺技术的权力、不能创造具附加价值的服务；所以中芯又与IBM共同开发28纳米工艺技术，虽然拥有了弹性，却拉长了产品上市时程。

大客户高通(Qualcomm)在去年开始采用其28纳米多晶矽工艺，但中芯要等到今年底才会开始量产较高价值的High-K金属闸极版本工艺。中芯在去年6月宣布了一个雄心勃勃的计画，将与IMEC、华为(Huawei)与高通共同开发14纳米FinFET技术；不过预期该技术要到2019年才能准备就绪，恐怕落后竞争对手台积电(TSMC)三年以上。

中芯国际行销副总裁Sunny Hui

中芯国际行销副总裁Sunny Hui在最近于美国举行的一场由SEMI主办之产业策略高峰会(Industry Strategy Symposium，ISS)上接受EE Times美国版编辑访问时表示：“我们也知道落后市场领先竞争对手许多，但这是一个我们必须经历的阶段──这场战役的一部分是必须追逐摩尔定律(Moore’s Law)。”

台积电(TSMC)在去年12月宣布，将在中国建立一座全资晶圆厂生产16纳米FinFET芯片；这削弱了中芯国际扮演在中国本地服务不断成长之无晶圆厂IC设计业社群的晶圆代工厂优势。中芯的困境似乎透露了中国应该孤注一掷、争取在更具竞争力的期限内提供先进技术，但Hui却表示这是错误的教训，他的建议是采取对市场动态更敏感的解决方案。

“我们欢迎更多厂商建立产业生态系统，因为我们关心的是，是否供应链按照需求被建立；”Hui表示：“如果中芯没办法达到够快的速度，没有理由对其他厂商的出现不高兴…他们反而会迫使我们更努力加速技术开发。”

确实，中国尝试以大量低价产品主导太阳能光电板与LED市场，却也扼杀了利润；政府当局规划者应该不会希望在半导体领域重蹈覆辙。

中芯国际去年取得了约4亿美元的“大基金”补助，让该公司能开始兴建位于北京的第三座晶圆厂B3；该座晶圆厂计划生产FinFET工艺。而其B2晶圆厂今年将开始量产28纳米与40纳米工艺。

为了扶植本土半导体产业，中国究竟总共会投资多少钱还有待观察；分析师Handel Jones估计至少有300亿美元，其他分析师则表示，来自中国政府以及民间的资金，总计将达到1,000亿美元。

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