三星FD-SOI工艺开始投片生产28纳米芯片

上网时间: 2015年12月24日? 作者:Peter Clarke? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星FD-SOI工艺? 28纳米芯片? 投片?

据国外一家Advanced Substrate News媒体采访到三星欧洲的LSI业务总监Kelvin Low称,韩国三星公司与意法半导体合作开展研发的FD-SOI(全耗尽型SOI)工艺开始投片生产28纳米芯片,法国半导体公司Soitec SA为其提供SOI基底材料。除意法半导体外,还有其他的客户进入排片队伍。

据报道称,三星2015年开始制定多个晶圆代工生产线运营计划并将在2016年推出可用的物理设计工具包(PDK)以及用户所需的IP生态系统。

三星FD-SOI工艺开始投片生产28纳米芯片_ESMCOL_1
FD-SOI工艺

FD-SOI晶体管结构实现了各种领先业界、面向汽车、工业和消费应用的超低功耗、按需提供性能的解决方案,在物联网领域有明显优势。ST和飞思卡尔表态支持三星FD-SOI工艺,还将有更多其它细分市场的客户加入。预计2016年FD-SOI芯片将率性应用于消费电子产品中,对于有着严格性能要求的通信基础设施、网络以及汽车电子行业,FD-SOI工艺还有一段很长的路要走。

同时,另一家半导体业者Globalfoundries在22纳米FD-SOI工艺上领先三星一年,可实现0.4V的低功耗优化,可满足物联网设备和其它功耗敏感型设备保持永远在线。

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

三星FD-SOI工艺开始投片生产28纳米芯片_ESMCOL_2
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