3D NAND Flash时间表临近 颠覆几大应用你准备好了吗?

上网时间: 2015年10月29日? 作者:黄晶晶? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:3D NAND Flash? 消费类SSD? 存储产业?

3D NAND技术被视为闪存产业柳暗花明的关键技术,它续写了摩尔定律,从2D到3D存储容量得到惊人的提升,以最早实现3D NAND Flash量产的三星为例,继24层128Gb、32层128Gb之后2015年量产48层256Gb的NAND Flash,预计4-5年后的目标是达到96层以上1Tb。在最近由国家集成电路设计深圳产业化基地主办的存储器技术与应用专题研讨会上,三星电子高宅均部长作出上述表示。除了三星,东芝、美光也将于2016年量产3D NAND Flash。随着存储容量瓶颈的突破,性能的优化以及成本的下降,闪存市场将实现值得期待的升华。

原厂量产在即 价格下降可期

“NAND Flash芯片在14nm往后从良率、成本、容量上都很难突破,3D技术可以解决这个问题。为推动这一技术,目前来看原厂新增加的产线几乎都以3D NAND为主。”深圳市闪存市场资讯有限公司邰炜说道。就在最近Intel宣布升级大连工厂转产NAND Flash芯片。目前东芝FAB2设备也基本到位。

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技术演进带来NAND Flash产出增加,成本降低。“以64Gb NAND Flash芯片来看,一片12寸Wafer,如果采用1Xnm MLC可切割600片,采用1Ynm MLC可切割750片,1Ynm TLC 可切1000片。这意味着在原材料成本不变的情况下,即使原厂不增加新的产能,新的投片,整个市场的产出也将增加30%以上。3D同样如此,随着48层的陆续投产,它的成本下降会越来越明显。” 邰炜继续分析道。消费类市场每GB NAND Flash的价格已经从2011年的1.2美金下降到2014年的0.4美金(2015年截止目前的价格是0.14美金)。

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数家芯片厂商3D NAND Flash量产在即,伴随量升价跌而来的必然是市场应用的爆发。邰炜认为中国大数据存储与市场应用给中国企业带来机会,应抓住政府推进大数据平台和信息安全的建设;大型本土互联网与制造企业本土化采购与支持;部分企业开始由单一的销售企业转变成服务企业;产品创新与创新的市场应用。

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