IIC-China 2015秋季展七大主题论坛亮点提前看

上网时间: 2015年08月20日? 作者:李坚? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:智能家居? MEMS传感器? 汽车电子产业?

后摩尔时代的IC设计

中国IC产业持续快速发展、设计水平不断提升,本土IC设计工程师对IP内核、晶圆代工服务、EDA和封装测试服务的需求与日俱增。此外,对低成本、小尺寸和低功耗的追求,使得IC公司非常狂热追求越来越低的工艺节点。与此同时,芯片设计者不得不应对飙升的设计复杂性,他们需要更好的设计工具/技术来满足设计需求。有些半导体厂商专注于FD-SOI,有一些则锁定FinFET,SOI产业联盟(成员包括IBM、Imec、Soitec、ST与飞思卡尔)已经尝试将FinFET技术与SOI结合,未来可能会有一些透过结合FinFET与FD-SOI结合的技术。对于中国半导体制造厂商来说,未来尽管现有工艺制程的路线追赶意义不大,未来应敢于接受新技术的挑战,要发展硅基和其他功率器件的优势,材料和工艺必须要紧密结合。

本届IIC展的IC设计专场将重点讨论:SoC设计者如何快速验证与集成IP、如何为SoC 设计选择IP核、低功耗 SoC 设计方法、数模混合电路设计的技术难点、更低工艺节点下如何提高DFM、如何无缝连接设计的各个阶段、如何设计低功耗的多核处理器、如何根据项目特点和习惯选择设计工具、良好的仿真促进一次流片成功、设计MEMS器件时如何与代工厂密切合作、ARM/DSP双核系统的通信接口设计、基于ARM核的SoC架构设计、基于MIPS内核的SoC设计、硬件模拟器的选择要素、制程进步与中国半导体设计业的关系、FinFET:中国的发展之路、FDSOI在中国是否有机遇、微波射频/RF EDA工具的进展等议题。

本文下一页:PCB设计如何适应新的挑战?

本文来自《国际电子商情》8月刊杂志,版权所有,谢绝转载


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