分析师自制英特尔10纳米技术攻略

上网时间: 2015年04月24日? 作者:Rick Merritt? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:英特尔10纳米技术? 10纳米工艺? 英特尔半导体?

最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个工艺世代使用的技术,提出了大胆且详细的预测;如果他的预言成真,意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。

这位分析师David Kanter在他自己的网站发表一篇分析文章,指出英特尔将会在10纳米节点采用量子阱(quantum well) FET;这种新的晶体管架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓(indium gallium arsenide,InGaAs)制作n型晶体管,以应变锗(strained germanium)制作p型晶体管。

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英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术

若预测正确,英特尔最快在2016年可开始生产10纳米工艺晶体管,且功耗能比其他工艺技术低200毫伏(millivolts);Kanter预期,其他半导体制造业者在7纳米节点之前难以追上英特尔的技术,差距约是两年。Kanter指出,英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10纳米工艺计划,而他自认其预测有90%的准确度。

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs工艺技术

Kanter的分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子组件会议(IEDM)发表的数十篇篇论文研究所得,此外还有英特尔与芯片制造相关的专利;他在接受EETimes美国版访问时表示:“我所看到的一切都朝这个方向发展;问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET,而是他们会在10纳米或7纳米节点开始进行。”

“在晶体管通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究,但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多;”Kanter指出:“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少,但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗,不过也可能会透过先采用硅锗(silicon germanium)来达到该目标。

Kanter并表示他在发表分析文章之前,曾提供内容给英特尔看;不过该公司婉拒发表任何相关评论。

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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