解开三星Exynos 7420 14纳米工艺代工之谜

上网时间: 2015年04月17日? 作者:Kevin Gibb? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星Exynos 7420? 三星14纳米工艺? 三星处理器?

三星自家生产Exynos 7420,这是一大成就

我们也注意到,上述的Exynos处理器(4412、5422、5430与5433)是在14纳米节点前好一段时间就生产了,也是在GlobalFoundries授权三星14纳米工艺技术之前,因此G不可能指的是那家晶圆代工业者,可以排除;我们认为Exynos 7420是三星自家生产。

从下面的图片可以看到面积为9.2 mm x 9.3 mm (86 mm2)的Exynos 7420*晶;这款组件采用覆晶(flip-chip)方式与封装基板以凸块(bump)黏结,可以看到那些暗色的凸块分布在*晶的表面上。

我们一开始对7420的横截面分析显示该款芯片确实有FinFET晶|体管,因此确定三星是采用14纳米FinFET制成生产此处理器;我们量测到的接触闸(contacted gate)间距约为77纳米,比Exynos 5430所采用的20纳米工艺之90纳米间距小了15%左右。

解开三星Exynos 7420 14纳米工艺代工之谜_《国际电子商情》Exynos 7420*晶 (来源:Teardown.com)_1
Exynos 7420*晶 (来源:Teardown.com)

扫描式电子显微镜(SEM)影像则显示,围绕在金属闸极侧边与底部的闸介电质(gate dielectric)与功函数金属(work function metal)。

解开三星Exynos 7420 14纳米工艺代工之谜_《国际电子商情》Exynos 7420的FinFET晶|体管_2
Exynos 7420的FinFET晶|体管

解开三星Exynos 7420 14纳米工艺代工之谜_《国际电子商情》Exynos 7420的FinFET晶|体管_3
Exynos 7420的FinFET晶|体管

在2015年4月发表的Exynos 7420,是继英特尔(Intel)在2014年10月发表第一款14纳米Broadwell 处理器5Y70之后,第一款采用14纳米FinFET工艺生产的芯片;而这款芯片的发表距离三星于2014年9月发表的20纳米节点Exynos 5420仅七个月。英特尔传统上在工艺进展会比台积电(TSMC)与三星超前一年,现在三星已经将差距缩短到半年,这是一大成就。

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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