2015年三星半导体资本支出规划

上网时间: 2015年04月15日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星半导体资本支出? NAND Flash? DRAM?

DIGITIMES Research观察2015年两大韩国半导体业者资本支出规划,三星电子(Samsung Electronics)将创新高纪录,达150亿美元水平,SK海力士(SK Hynix)则将与2014年持平,维持在51亿美元。2015年三星半导体事业资本支出将连续6年居全球之冠,其中,含晶圆代工在内的系统IC资本支出将自2014年29亿美元增加至近40亿美元,除启用韩国华城厂第17产线外,2015年将持续在美国奥斯丁等厂房建构14纳米先进制程产能,以和台积电及英特尔(Intel)展开16/14纳米以下先进微缩制程竞赛。

2015年三星与SK海力士于DRAM皆有扩产计画,其DRAM资本支出分别将为64亿美元与38亿美元,三星主要用于扩充韩国华城厂第17产线DRAM产能,SK海力士则将重点放在2015年下半启用韩国京畿道利川市M14新产线,将量产20纳米级DRAM。2015年两家韩厂合计资本支出占全球DRAM厂总资本支出比重达75%。

在NAND Flash资本支出方面,2015年三星规划47亿美元,主要用于建构大陆地区西安厂3D NAND Flash产能,其于3D NAND Flash进展较美光(Micron)、东芝(Toshiba)等业者快。SK海力士NAND Flash资本支出为13亿美元,主要用于10纳米级TLC(Triple Level Cell) NAND Flash研发与产能布建,2015年两家韩厂合计资本支出占全球NAND Flash厂总资本支出比重为64%。

三星目前在韩国,以京畿道器兴厂与华城厂为其主要生产据点,2015年三星将在京畿道平泽市兴建半导体园区,其规划投资金额将达到15.6兆韩元(约153亿美元),三星计划2017年下半启用平泽半导体园区,将涵盖存储器与系统IC产线,由于SK海力士也将启用利川厂M14产线,将使得京畿道于三星与SK海力士的半导体生产上扮演更重要的地位。

2015年三星半导体资本支出规划_《国际电子商情》_1
DIGITIMES整理,2015/4


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