后闪存时代:有必要说说的三个演进方向

上网时间: 2015年03月31日? 作者:Doit.com.cn? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:后闪存时代? 3D NAND? 存储器技术?

闪存时代预期将在2020年走向终结,包括电阻式与电子自旋式等存储的最新技术蓄势待发,未来引领其性能更高,速度更快且具有动态存储式定址能力的新闪存,未来将对现有闪存技术全面接盘,由于这些技术的颠覆性我们把他们的未来称作“后闪存时代”(Post_NAND)。

一些人会问,这些新技术中的一种通用的存储技术真的能联接动态存储器和非易失性存储器吗?

现在听来似乎有点不靠谱,只要找一个NAND的替代品好像就成了。

目前主要有IBM和HP在做后闪存理论研究并且有所突破。其他的比如三星,东芝和美光,他们更感兴趣的是延长NAND的寿命以及他们对NAND制程的投资,而不是找别的产品取代闪存。

但无论如何,他们没法视而不见。美光研发出了相变存储器,近来已经投入生产,东芝已经在研发自旋转移力矩随机存取存储器,而三星也开始涉猎自旋转移力矩随机存取存储器。

NAND闪存是一种奇特的技术,它具有非易失性,就像磁带和磁盘,但又不是字节编址。与它们不同,它每次都要写入字节块。每个字节又要分入一个单元。

因而在新数据写入之前也不得不成块清空或删除。这就意味着一个写循环包含两个过程。读取是一个单过程。

在NAND半导体技术结束它的过程收尾时,单元在10纳米以下变得越来越易错,寿命也越来越短,另一个post-NAND技术正在被审查,看看它们是否可以在需要时传递增强的密度(容量),而不连带NAND的缺点。

用户会一直追求大容量和高速度,那时就会需要post-NAND技术。两三年前人们认为Post-NAND的未来很快就要到了,但是TLC和3D NAND技术又将NAND时代的终结向后推迟到了2020年。

研发工程师集中研究字节编址和非易失性的技术,当然也比NAND存取更快,使它们在定址能力和速度上的表现更接近动态随机存储器。

为了改变存储器的易失性,数据就需要一个分离的固定存储基础设施(闪存,磁盘和磁带),这样一来存储器就成了非易失性的。这也就意味着深层系统软件必须做出改变才能使系统充分使用这个“存储内存”。

后闪存时代有三个主要的发展方向:相变存储器,电阻式随机存储器以及自旋转移力矩随机存取存储器。

本文下一页:相变存储与忆阻器

标签 NAND??

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