后闪存时代:有必要说说的三个演进方向

上网时间: 2015年03月31日? 作者:Doit.com.cn? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:后闪存时代? 3D NAND? 存储器技术?

现状

此时显然还没有主要的闪存制造商只支持一种后闪存时代技术,在El Reg看来有两个原因。

首先,没有明显的高端技术出现,PCM,RRAM,STT-RAM大致处于平等地位,在一些像Crossbar 和Spin-Transfer科技的企业把精力集中在他们自己的研究上时,闪存运营制造商把post-nand技术放在了次要位置。

他们通过3D和TLC来提高NAND闪存密度,通过使用NVMe甚至flashDIMM接口来降低延迟。在接近2020年之前他们并不急于开发其他任何的产品。

该领域备受推崇的咨询顾问Jim Handy客观分析说,“我预计2023年RRAM或者其它极具竞争力的技术将会取代闪存和动态存储,如今根深蒂固的技术还会跟随我们一段时间。

在那之前,其他所有想要取代DRAM和闪存的技术都不会是主流。

后闪存技术公司小众并且资金不足。

到那时,闪存芯片会不断升级,加一层一层的cells来增大容量,需要时用TLC提供一个额外的弹性容量。

现在任何系统软件通常都不用考虑后闪存时代存储器,研发公司可以慢慢来。

标签 NAND??

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