后闪存时代:有必要说说的三个演进方向

上网时间: 2015年03月31日? 作者:Doit.com.cn? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:后闪存时代? 3D NAND? 存储器技术?

电阻式随机存储器

与PCM,PRAM类似利用不同阻力水平来传送二进制0,1的信号,但没有改变相变元件的状态。IBM和Crocus 曾合作开发过磁电阻存储器。Unity Semiconductor有CMOx技术。第三家参与研发的公司是Crossbar。

Crossbar拥有3D RRAM技术,并认为可以搭建1TB的芯片。它的第一个单机RRAM芯片将到每晶1Tb,这就需要有十万写入次数。

据悉它将为嵌入式市场带来字节寻址,为存储市场带来1KB的页面寻址。Crossbar透露它的制程能突破16纳米,接近NAND的极限。该技术基于一个不定形硅交换层,靠的是金属原子运动原理。Crossbar的架构被描述成1TnR,就是一个单晶|体管驱动n个电阻式存储元件。

Crossbar表示这将带来高容量的固态存储。

后闪存时代:有必要说说的三个演进方向_《国际电子商情》Crossbar RRAM_1
Crossbar RRAM

相比之下,PCM的一个晶|体管驱动一个单元件的1T1R架构,按照Crossbar的说法来看,则意味着较低密度。

忆阻器利用了氧空位现象,而氧空位要求贵金属电极,如铂。该公司指出这些都很难并入一个生产程序中,并坚称金属离子比氧空位更好控制。

它又补充说忆阻器技术必须要有一个复杂的非化学计量氧化物来代替氧空位,很难复制。而他本身的非晶硅不需要严密的化学计量控制并且很容易复制。

Crossbar也将与一家制造运营商合作批量生产RRAM芯片,也就是说主要的存储器或闪存运营制造商都还没有决定跟风RRAM技术。

旋转移力矩磁阻存储器(STT-RAM)

这是第三个大众认可的后闪存技术,三星和东芝已经积极活跃在该领域。

通常电流不能自旋极化,就像是把电子一半分成上自旋,一半分成下自旋一样。这种现状在通过一个厚磁性层分流后改变了,它的上自旋电子变得比下自旋电子多,反之亦然。

接近自旋极化的电流自旋方向从代表二进制0,1的磁力方向移向磁元件。

自旋转移技术,一个工作在该领域的公司叫MRAM。从2012年2月拿到0.36亿美元初始资金,2014年10月,又增加了0.77亿美金,两轮投资总额就达到了1.06亿美元。

2011年,三星吞并了一个叫做Gradis技术研发公司后也介入了STT-RAM研究。

本文下一页:现状:厂商不急于开发其它任何产品

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