后闪存时代:有必要说说的三个演进方向

上网时间: 2015年03月31日? 作者:Doit.com.cn? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:后闪存时代? 3D NAND? 存储器技术?

PCM:相变存储

相变存储器包括利用电力来改变硫系玻璃材质,由多晶变成非晶状态,改变了它的电阻。

电流应用到元器件加热,如果它迅速冷却那么硫化物会变为多晶结构,耗热量较慢也就意味着它有高电阻非晶|体结构。

随着IBM制成了PCM/NAND混合卡,美光和IBM全都参与了相变存储器的研究。HGST演示了如图所示的一个可以传送3百万 IOPS和延期读取1.5微秒的相变存储产品。

后闪存时代:有必要说说的三个演进方向_《国际电子商情》_1

PCM制造商美光表示相变存储器是目前正在投资的少数几个新兴存储技术之一。2012年PCM产品海运至诺基亚公司用于Asha智能手机制作。芯片内存1Gb,45纳米制程,写入超过100,000次。

然而此后很多事都发生了变化,尤其是NAND前景与TLC和3D概念上。最终,美光因为研发了一个低成本,低功率,高性能的新制程而从市场上撤出了他们的PCM产品。

忆阻器

2008年,惠普公布了对忆阻器的物理实现,并将其定位为与电容器,电阻器和电感器并列的第四个基本元件。

忆阻器单元由两层二氧化钛半导体薄膜构成。其中只有第一层有微小的氧空位,并且可以导电。另一层则是电阻非常非常高。

氧空位可以通过电压传导从这一层移动到另一层,而他们停留和移动忆阻器电阻的位置,给我们设置了一个开关功能。

这个技术与 不同,在某些领域也视为才生产两年的产品,但它和拥有全新的操作系统和特芯片的硅光子相同,是惠普“机器”研发的众多支柱之一。

几个产品相结合降低了其各自给存储区的带来的,忆阻器技术可能会有的特殊影响。

首先,惠普把它的忆阻器当做一项专利技术在自己的专有硬件上使用。据我们所知,主要的闪存制造运营商也都没有参与忆阻器开发。 Hynix,一家二线制造运营商已经参与进来了。

第三,人们普遍把忆阻器看成一个电阻式随机存储器变体,而不是一个天差地异的非易失性存储器变体。

本文下一页:电阻式随机存储器

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