英飞凌将与松下电器联合推出常闭型600V GaN功率器件

上网时间: 2015年03月23日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:英飞凌将? 常闭型600V GaN功率器件?

英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶|体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶|体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止,没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。

作为新一代化合物半导体技术,硅基板GaN技术备受关注。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。一般而言,基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域,从高压工业设备,如服务器电源(这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一),到低压设备,如直流-直流转换器(如在高端消费电子产品中)。IHS发布的市场研究报告显示,与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场,将以高达50%以上的复合年增长率(CAGR)增长,也就是说,到2023年,其市场容量将从2014年的1500万美元,增至8亿美元。

英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示:“英飞凌致力于为客户提供各式各样、出类拔萃的产品和技术组合,包括可靠的GaN功率器件。我们坚信,增强模式硅基板GaN开关器件,结合我们相应的驱动器和优化驱动方案,将为客户创造价值,同时,这种双重货源概念将帮助客户管理和稳定其供应链。”

松下电器半导体有限公司总裁Toru Nishida指出:“充分发挥我们在化合物半导体技术领域的丰富经验,松下电器开发的常闭型GaN功率技术采用了简单的配置和易于控制的机制。我们希望通过授权英飞凌使用我们的GaN功率技术中的常闭型GaN晶|体管结构,促进GaN功率器件的推广。我们将对常闭型GaN技术进行不断创新,为打造满足客户需求的解决方案做出贡献。”

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