存储器市场需求增长

上网时间: 2015年02月11日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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网络、移动电话、PC等信息通讯产品的 快速增长将带动存储器需求的增长。存储器行业在新的技术领域,如单电子存储和铁磁介质存储领域有了新的研究成 果,但未来10年存储器市场仍然以传统 DRAM为主,今后DRAM的年复合增长 率还将达到50%。

存储器市场需求增长_ESMCOL_1DRAM行业年利润

64Mb DRAM的需求将显著上升, 到2000年达到顶峰。128Mb DRAM将占有2000年PC(包括笔记本电脑)市场的大部分份额,比1999年增加6~7倍。服务器市场所用的256Mb DRAM情况与128Mb DRAM相同,到2000年底,其销售量会超过一亿片。

Infineon亚太区存储器行销部副总经理汪福波说:“今后存储器件的年增长率将在70%左右。存储器最大的消费群 将是PC(包括笔记本电脑)市场,将占所有DRAM销售量的50%。”

由于Intel已推出支持RDRAM的 820芯片组,RDRAM将成为下一代PC 的主流内存选择。到2000年,128M Rambus DRAM 将增长 70%。

“2000年,RDRAM将满足特定的市 场需求,而双倍数据率(double data rate, DDR) DRAM内存将占有越来越大的市 场份额。从2 0 0 0年下半年起,DDR DRAM会批量上市场,到第四季度市场 才有需求。2000年下半年DRAM可能会供不应求”汪福波说。

另外,为适应数码相机、MP3播放 机以及具有Internet浏览和收发电子邮件功能的网络化手机的爆炸性增长,闪存市场将面临起飞。为了满足网络时代 的要求,特别是手机、基站、Internet局 速数据通信的发展要求,SRAM向智能化、高速化、大容量方向发展。由于采用 了永久性铁磁性材料,SRAM的性能将 更为可靠。

“中国在手机、.基站、Internet高速数 据通信方面将有大发展,路由器的速率 发展也很快,数据通信要求存储器的速 率越来越快,传统SRAM适应不了新的 要求。SRAM必须向智能化和高速化方 向发展。” IDT亚洲有限公司中国/香港 地区业务经理关志光说。

市场调研公司In-Stat存储器部的首 席分析师Steve Cullen说:“今后10年,DRAM仍将主要用于计算机领域,只是重心在某种程度上从桌面PC移向手提 电脑、掌上设备和服务器。而包括数字相机、HDTV、机顶盒在内的消费领域将是 DRAM增长最快的部分。”

DRAM是未来的主要存储器

电脑、网络通信要求更高速率的数据交 换能力,这将带动DRAM产业的增长, RDRAM、DDRDRAM、支持绘图功能的智DRAM芯片组即是最新的成果。 存储器行业在新的领域,如单电子存储 和铁磁存储介质领域进行了新研究,但 是,未来10年存储器市场仍然将以传统 DRAM为主,DRAM的存储密度将达到 4Gb。新的加工技术,例如,半球形单元和铜线连接将进一步提高DRAM的密度和性能。未来,大容量、高速DRAM将满足工业和消费市场各种各样的图象应用需求。

“过去10年,DRAM的年复合增长 率约为70%,而未来10年,DRAM的年复合增长率还将达到50%。DRAM行业的利润会在2003年达到一个高峰,2004 或2005年为低谷,到2010年止,还将会有一个更完整的循环周期。” Cullen说,

“目前,DRAM行业所面临的技术挑战是向300mm晶圆片过渡,突破的技术壁垒。”

DRAM的研发重点将是如何提高其存储密度(256Mb及以上)和数据交换速率。其它新的特性,如虚通道和快周期将变得越发重要,另外,DRAM还将继续降低功耗,以进一步满足人们对更长工作周期及便携式设备的需求。“存储器仍然是2000年后半导体工业的重要组成部分。Infineon的主要精力将继续投入到动态存储器和嵌入式存储器,如集成了逻辑电路的较大存储器模块。”汪福波说。

IDC对全球DRAM市场展望指出,由于通信产品需求激增,2000年DRAM市场将增长70%。其中,128MRambusDRAM(RDRAM)增长率高于16、64和256M产品,增长可望超过10倍。PC、移动电话和网络等网络信息通信产品的快速增长是带动DRAM需求增长的主要因素;2000年PC总产量将较1999年增加30°/。。非PC产品性能要不断提升,所需内存容量将日趋扩大。移动电话、PCS等无线Internet网络产品的增长率将高于PC。目前以语音为主的移动通信将随着 GPRS(GSM)、HDR(CDMA)等2.5G技术的进步迅速融入Internet。

2000年移动电话用半导体市场将达120亿美元左右,增长约20%,2003年可望达160亿美元。

Rambus DRAM是PC133的主流选择

由于Intel对Rambus的大力推广以及Rambus技术自身的完善,RambusDRAM将会占有60%的PC市场。到2002年Rambus DRAM将牢牢地占据PC市场。RDRAM有明显的带宽优势,它能较好地满足目前处理器对数据的需求。尽管Intel—改以往强迫业界制造商采纳Rambus DRAM的做法,决定凡是客户们看好的内存规格,它都将尽全力予以支持,同时Intel正在加紧开发PC 133 SDRAM内'存,填补Rambus和820芯片组推迟上市后出现的市场真空,并表示支持PC 133的产品将于2000上半年问世。但Intel公司认为:RambusDRAM确实是下一代内存标准的最佳解决方案,并将加强从SDRAM 到 Rambus DRAM 的过渡工作。

目前,手机、PDA和PC将推动存储 器市场增长。PC的广泛应用将使多种内 存(如 SDRAM、RAMBUS 和 DDR)共存。

闪存市场面临起飞

1999年全球MP3播放机将销售130万台, 对MP3闪存卡的需求将达到520万片。闪 存卡供应商正等待全球市场的起飞, MP3音乐狂热是一种全球性现象,这是 存储器行业发生突破性增长的一次机遇。闪存市场将被分为主多媒体卡和智能媒体卡两部分。

到2002年,数字相机将消耗2亿3千 1百万美元的DkAM和闪存。今后数字 相机的数字胶片将以闪存为主,基于闪 存的数字胶片其销售量到2002年将快速 增长到797,000Mb,年增长率为110%。 另外,基于闪存的1C货币的增长率会高 于数字胶片。

“随时、随地”连接的概念将使得数 字蜂窝电话和PCS移动电话到2003年以 每年17%的速度增长,而移动电话所需 的内存将以32%的速度增长。内存高速 增长的动力是无线数据连接,SP email, Internet浏览以及多模电话。

今后几年,移动电话将在数字基带 或模拟基带上集成LNA、混合器和编/解 码器,在模拟基带上集成电源管理功能。 分立、分离式闪存和SRAM将过渡为闪存和SRAM堆叠在一起,从而满足制造商制造不同机型时对存储器密度、多样 性和灵活性的要求。

Dataquest 公司预测,2002年快闪存储器的全球市场规模将达到1998年的两倍。闪存的主要制造商之一的日本东芝公司于1999年底之前将64Mb存储器的月产量提高至100万枚,而128Mb与256Mb存储器的月产量则将提高至70万枚。

“在五年内,闪存预期会取代存储器的许多应用,如取代SDRAM,部分取代DRAM,64M以上高档闪存会取代磁带,由于闪存方便搜索,可储存声音、图象,成为消费品,是取代软盘的最佳选择。”台湾茂矽电子股份有限公司晶圆厂副总经理梁明成说。

闪存容量在提高。为适应数码相机、 MP3播放机以及具有Internet搜索和电子邮件功能的上网手机等市场的高速增长,三M电子公司开发成功1Gb NAND 闪速存储器样品,并在NAND闪速存储 器中首次应用了 0.15pm技术。三星公司 的5 1 2Mb闪速存储器和1 28Mb智能 Media卡将于2001年投入批量生产。作 为个人数字产品的关键部件,NAND闪速存储器市场正在以每年70%的增长速度迅速扩张,销售额也将从1999年的4 亿美元增至2002年的22亿美元。

另外,一种新型的USB闪存将蚕食传统软盘市场。USB闪存储器只有一只拇指大小,暂时只有8M、16M和32M三 种类型。根据摩尔定律,其电脑的硬盘容量和CPU速度每18个月翻一番,但是软 盘驱动器却在五年内仍无任何进展。市场上虽然有各种ZIP驱动器,但价格在 800~1,200元之间,价格偏高,并且存在速度慢,标准不统一等缺点,故不易普 及。而USB闪存具有速度快,体积小,兼容性好,携带方便,容量大,最多可同时接25个同类型存储器等优点。

SRAM向智能化、高速化发展

在通信用存储器和高速表态随机存取存储器方面,许多公司有新的突破。IDT公司新推出的SRAM在两个方面超越了传统的同步脉冲静态存储器,即通过消除无效周期,提高系统带宽,同时降低通信 系统设计对系统计时的要求。新的智能 ZBT静态存储器为4Mb,有200MHz流 水线型和7.5(flow-through)两个型号。所 有的存储器可向下兼容IDT现有的ZBT SRAM。智能ZBT SRAM特别适用于频 率为133MHz以下、采用ASIC技术的通信系统。

IDT亚洲有限公司中国/香港地区 业务经理关志光说:“亚洲的系统设计人 员大多采用先进的专用集成电路(ASIC)技术,智能ZBT SRAM能使这类设计的 总线达到100%的工作效率,同时又能避 免总线拥塞现象。新型存储器将加强我 们解决系统级设计的能力。

智能ZBT SRAM对系统要求低,时 钟速度200MHz,对逻辑电路要求不太 高。IDT今后将发展适用于数据传输的 智能ZBT SRAM和四倍速(Quad Data Rate, QDA)SRAM(>200MHz)o ”

智能ZBT SRAM超越了传统的同 步脉冲静态存储器,其输出接入不受工 作流程、电压或温度的影响,这一特点能 降低系统计时的要求,因而系统无需猜测SRAM何时接入系统总线。由于它简化了系统计时要求,减少了多芯片同时 使用同一个系统总线的可能性,新的 SRAM可满足设计人员对高性能存储器 的需要,并将用于各种网络产品。

今后IDT发展的将是130M ZBT、智 能 ZBT SRAM 和 QPR SRAM。QDR SRAM会在2000年中推出,用于数据通 信、价格比较敏感的应用,如数据率在 200MHz以上的下一代交换机和路由器。 关志光说:“存储器市场需求增长很快, 如新型FIFO(用于基站),DUAL PORT, 特别是SRAM(如ZBT)等,每年的增长将 会超过20%。”

FRAM将异军突起

FRAM是一种采用铁磁性材料作为存储介质的随机存储器。由于铁磁性材料是非易型存储介质,所存储的信息具有永久性和高度的可靠性,适用于各种高级应用场合,将受到广泛应用,是存储器的一种新的发展方向。

“未来1 0年存储器制造工艺不断地缩小至0.13?0J0m,非易失存储器如闪存也面临窗口瓶颈问题,解决的办法是 采用磁性材料。一是用铁磁性材料,如磁 铁,另一是用有机物,这两类闪存会是未来的主导闪存,采用磁性材料的闪存所 存储的信息是永久性的,可靠性大大提高,可取代任何存储器(如SDRAM和 DRAM)用于高可靠场合。”梁明成说。

三星电子开发的4Mb铁介质随机存 储器(FRAM)结合了DRAM、SRAM和闪存的技术优势,应用1T/1C及COB技术, 体积减少一半。采用FRAM将减小相关 设备的体积。

FRAM同时还具有SRAM的快速数 据处理能力和快闪存储器的稳定性,可应用于传统采用DRAM的数据存储应用领域。

该4Mb FRAM适用于移动电话和其它便携式多媒体产品,包括移动手机、 PDA,智能电话和智能卡等领域。预计到 2005年,世界FRAM市场将至少增长到 每年150亿美元。

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