可编程只读存储器

上网时间: 2015年02月13日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:大容量EPROM及EEPROM畅销?

可编程只读存储器_ESMCOL_1

市场对Hitachi的1M位EPROM需求増加

在16兆位可擦可编程只读存储器(EPROM )及1兆位电 可擦可编程存储器(EEPROM )的竞赛中,台湾已开始 准备,南朝鲜顺利起步,日本遥遥领先。

业内人士预期,EPROM/EEPROM的需求以年率 25 %的速度增长,但产量至今仍维持原样,只是销售结 构改变,较大容量的产品畅销。

亚州地区,特别是日本(见本页)的集成电路制造 商,为求在这个市场中获利,正大量投资于PROM的研究开发工作,研制存储容量大、存取时间短的产品。这是 最能获利和最富竞争的领域。

现时,采用256K X 16位结构的4兆位集成块,即 将投人市场。封装亦有改进。更小的SOP型即将推出, 其他型号正在开发。日本决定充份利用其技术知识,来开 发16兆位EPROM和1兆位EEPROM。电子工业正在 等待这些产品。

日本制造商正在研究在微型汁算机中用PROM来取 代软磁盘。这种可能性是明显的,虽然,这样就需要大容 最的器件,随而产生成本增加的问题。他们在研究开发工 作上明敁领先,但是在价格方面则正面临海外制造商的强 烈竞争。可能是这个原因,日本制造商只好放弃生产小于 16K位的EPROM,但高速存取的产品除外,因为这方 面是日本的专长。

南朝鲜有两间公司生产PROM。他们 除了都想成为世界的主要制造商之外,在如何开展工作上 观点完全不同。一间认为研究开发工作是浪费时间,另一 间则认为是工作方向。但两种见解看来都会成功。

这两间公司不惜代价,提供较低的PROM报价,并且竭力保持优势,看来还会进一步降价。然而,南朝鲜的 EPROM和EEPROM制造商还需要一段长距离,才能赶上日本和美国对手。

256K位EEPROM已经在南朝鲜市场出售。当地制 造商一面参加高档PROM的竞赛,一面继续生产较小容 的EPROM和EEPROM。大多数其他集成电路制造 商终将停产。

日本

竞争焦点是容量大存取快的产品

日本仍然是EPROM和EEPROM增值产品的主要产 地。随着新用途的开发,产品种类亦增多。封装有 DIP、陶瓷LCC和SOP等型。另外还有TSOP (薄小 外形)封装,这种封装仅是普通SOP高度的一半,即将 推出市场。预期还有更多的封装型式供选用。

竞争的焦点在于开发存储容量大、存取时间短的 PROM。电子行业正在等待由日本开发的16兆位 EPROM和1兆位EEPROM。日本虽然是研究开发方 面的当然领袖,但是在价格方面正面对海外市场的强烈竞 争。

日本各公司已逐渐不生产小存储容量的EPROM和 EEPROM,但高速产品除外。有些产品的存取速度达到 25毫微秒。

有一家厂商正在准备生产一种快速擦除的 EEPROM,声称它较EPROM和EEPROM更容易使 用。

Hitachi Ltd.(日立)的资本额为16亿美元’上一财政年 度的营业额高达485亿美元。有职工27万人以上,产 品包括电子元件、音响和视频设备、通讯系统和办公冉动 化设备。

该公司发言人指出,在198 9年,日本生产了 195万 只EPROM和30万只EEPROM,但PROM的总产鼋 在去年并没有显著增长,只是大存储的产品有所增加。 该公司的所有PROM都是在东京和山梨县工厂生产的, 然后运销到许多海外市场。

日立的EPROM包括256K、512K和1兆位产品。 近期1兆位EPROM的需求增长,除了 128K X 8位产 品外,还出现64K X 16位结构的EPROM。

HN27C1024HG 型是一种 64K X 16 位 CMOS EPROM。它具有快速编程和页编程方式。编程电压 12.5伏交流,页编程时间14秒。其他特点包括在读出和 编程方式时都有高速TTL相容I/O。据称是1兆位 EPROM中最快的型号,存取时间为85毫微秒和100毫 微秒。有两种封装型式:40脚陶瓷DIP和40脚陶瓷 LCC,后者可进行表面安装。

发言人称,日立不打算生产2兆位EPROM。它正 准备推出HN27C4096G系列4兆位EPROM。采用的是 256K X 16位结构,存取时间为100、120和150毫微 秒。新的4兆位产品将于今年春季推出。

在小容量EPROM方面,存取时间小于100毫微秒 的高速型很流行。日立的HN27C256HG型256K位 EPR0M的存取时间为70毫微秒’据称是市场上最快的 产品。

日立的EEPROM有64K和256K位网款。 HN58C256型是256K位CMOS,存取时间150和200 毫微秒。可作高速页编程,性能可靠,达100,000擦/写 循环。采用28脚DIP及28脚SOP封装。不久将推出一 种32脚TSOP封装,高度只有1.2毫米,是SOP的一 半。TSOP适用于存储器卡、通讯设备、NC控制器、 工程工作站和办公自动化设备。

发言人指出,从存储容_疑方面来看,掩模ROM和 EPROM/EEPROM之间的空档越来越宽。现已有8兆 位和16兆位的掩模ROM,这对于开发大存储容量的 EPROM和EEPROM是很S要的。他预期16兆位 EPROM和1兆位EEPROM最终将在市场出现。快速 擦除的EEPROM,在使用上较EEPROM和EPROM 方便’一旦解决了一些现存技术困难后,便将推出市场。

现时软磁盘广泛应用于微型计算机,从长期来看, PR0M将取代它,但现时用1C卡来作此用途是太昂贵 了。这也说明了开发大存储容!t的器件是重要的。

NEC Corporation在1899年成立,现时资本额11.6亿美 元,有职工近10万名。上-?财政年度的营业额为231.8 亿美元,电子器件占其中的18 %。

NEC在1978年推出16K位的EPROM,随后开始 生产EEPROM。但当时EEPROM的市场很有限,所以 NEC摘置到1986年生产出64K位EEPROM时才再推 出。

NEC的圆晶片加工厂设在熊本和神奈川县,组装厂 则设在熊本和大分县。在去年生产增长了 10 %。

NEC 供应 64K、128K、256K、512K、1M、 2M和4M位EPROM。发言人称,1M位是最畅销的产 品。

在小容量器件方面,NEC和日立一样,只生产高速 的产品。μ PD27HC65型是一种8K X 8位超高速 CMOS器件。它的工作电压为5伏,存取时间为25、 35和45毫微秒,有高速可编程方式,I/OTTL兼容 性,电流消耗较低,工作方式为100毫安,待用方式为 25毫安。采用24脚陶瓷DIP封装,有一个窗口。

μ PD27C2001B塑是一种2兆位(256K X 8位)器 件,采用CMOS工艺。技术规格包括5伏电源;存取时 间150、170和200毫微秒;工作时功率消耗30毫安, 待用时100微安。其特点包括:32脚陶瓷SOP封装, 有一个窗口 ;高速字节编程方式;高速页编程方式;I/O TTL兼容性;三态输出。它只有1.65毫米高,适合薄件用途,例如存储器卡。

最近推出的产品是// PD27C4001型,是一种512K X 8位CMOS EPROM ’有高速编程方式,与I/O TTL兼容和具备三态输出。

1兆位或较小存储容量的EPROM的求和供应平 衡,但2兆位和4兆位EPROM的供应紧张,因为产敎 仍有限。

发言人指出,供应的EEPROM的存储容敲为4K、 64K或256K位,4K位器件仍然流行。

μPD28C256型是一种32K X 8位产品,它可以维 持100,000次擦/写循环,有软件数据保护。其他特点有:每页64字节写人操作的快写周期时间,数据轮询功能,触发位功能,噪音防护,写人保护逻辑以及电源电压 检测。

在研究开发方面,发言人说:“我们止:在两个领域X 作:大存储容量和快存取时间。NEC的目标是开发8兆位和16兆位EPROM以及1兆位的EEPROM。”

Asahi Kasei Microsystems Co. Ltd.雇用 330 名职工’年营 业额为3,600万美元。该公司供应EPROM和 EEPROM,有些自己制造,有些从美国进口。

Asahi Kasei 供应的 EPROM 计有 16K、32K、 64K位高速EPROM,全属.DIP封装,存取时间为35 至55毫微秒。AK27CX641是一种8K X 8位型款,存取时间40至55毫微秒,采用24脚DIP封装。

Asahi Kasei的EPROM主要用在图形处终端、计 算机和数字化复印机上。

它的EEPROM范围从1K位到64K位,采用DIP 或SOP封装° AK93C66型是--种256K X 16位器件- 其特点是高速操作,时钟速度为2兆赫,自动擦/写 和数据保护。

该公司的EEPROM的用途包括电视机、视频设备、 通讯设备和测量仪器。

南朝鲜

产品以价廉取胜

ill然大存储容量EPROM迅速发展,应用领域R广,但 南朝鲜的两家制造商各持己见。一家公司实际上没有在这 方面进行研究开发工作I只是致力生产1K位 CMOS EEPROM 和 64K 位 CMOS EPROM ’ 以小批It 和快供货来吸引客广,并且做OEM出口业务。

与此相反,另一家公司正大力投资开发1兆位器件, 希嗜赶上外M制造商,在此最后市场里占取较大的份额。 这个市场预期每年增长25 %。

然而,南朝鲜的EPROM和EEPROM在存储容量:、存取时间和功率要求方面仍比不上日本产品,只是以 价廉取胜。

Samsung Electronics Co. Ltd.在 1989 年仅是半导体的营 业额便约为16亿美元,较上一年增长66 %。今年营业额预期会更高。

Samsung经营3间工厂,它的半导体部约有12,000 名工人和150名研究开发人员,生产3,000个型号的半导 体。该公司行24个海外办事处’产品销往美国、欧洲和 东南亚。

现时Samsung正集中力量开发ROM和RAM,力求打人高档市场。EPROM和EEPROM是在汉城以南 的Kiheung 工厂生产的,f房面积89,100平方米。

1984 年,Samsung开发广16K位产品,米用的是 CMOS技术,第二年便增加生产64K位EEPROM。在 1988年大规模生产这些EEPROM的是供应海外市场。去年,Samsung开发了存ECC (错误检验和改正)特性的256K位EEPROM。

发言人表示,为f赶i:外国对手,该公同今年将开发0兆位EEPROM。他说:“我们预期全球EEPROM市 场每年增长25 %,在1991年营业额将达3.5亿美元,因 此,他们即将致力开拓出口市场。今年Samsung将降价 5 %以保持竞争优势,EEPROM的价格将低于毎只5.5 美元。”

Samsung供应14种标准划号。其中4种足64K位 EEPROM,占总产W的40 %以上。所有型号都是用 CMOS 工艺生产的。其中KM28C641型采用28脚DIP 封装。引脚符合JEDEC标准,设计成写人操作如同另一个流行的型号是64K位的9KM28C651型,有 数据轮询功能和在引脚1上有就绪/忙碌输出。采用28 脚DIP和32脚PLCC封装。

可编程只读存储器_ESMCOL_2

可编程只读存储器_ESMCOL_3

南朝鲜Hyundai与美国公司共同生产EPROM及EEPROM

256K位产品共有两款:KM28C256/J和KM28C2561型,具有64页方式,32K X 8位结构以及 5毫秒(最大)写人周期时间。

用浮栅CMOS工艺制造,使用Fowler-Nordheim隧道作用进行擦除和编程。这种256K位EEPROM的内部 自定时写人周期,在5毫秒的写人时间内闩锁地址和数 据,使系统总线空闲。它具有数据轮询和触发位功能,在 写人周期完成后便向处理器发信号,不依靠外部硬件,并 且设计成可进行100,000次写人循环/字节。

没有规定最低定购量,接受小额订单。收到信用证后 45到60天内交货。

Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd.是 Hyundai 集团的 一个成员,1983年正式成立。它与?家美国公司进行技术合 作’生产半导体。如EPROM、EEPROM、SRAM和 DRAM等。该公司在汉城以南80公里的伊川设有-间 工厂,面积445,000平方米,职工总计9,000名,其中有 1,400名从事半导体生产。

去年Hyundai的营业额为3.2亿美元,较上一年度 增长30 %。今年营业额预期超过3.5亿美儿。产品大约 有40 %出n到美国,另外40 %在南朝鲜本地销售。

1985年开始生产EEPROM,现时产品包括1K位 EEPROM和64K位EPROM,两者都采用CMOS 工艺。

发言人称:“我们有一个现成的市场,这些型号是技 术更先进的国家不再生产的,例如美国和日本。因此,我 们无需投资去研究开发大存储容量的EEPROM。经验告 诉我们,南朝鲜公司付出努力后要获得的成果,较美国和 曰本公司要迟好几年。”

Hyundai着重生产两种型号:HY93C46型1K位 KEPROM 和 HY27C64 型 64K 位 EPROM。没有透露 准确的产量和报价。PROM和EEPROM有60 %以上 出口到美国和欧洲,其中OEM占50 %。最低定货W:是 1,000只,收到信用证后30到45天内交货。

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