三星拼了,明年3-bit V-NAND flash 月产将达70万片

上网时间: 2014年11月12日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星? 3-bit V-NAND flash?

三星电子(Samsung Electronics)挽救下滑业绩,全力冲刺半导体,传将力拼固态硬盘(SSD)事业。该公司拟在SSD采用3-bit V-NAND flash存储器技术,提升储存效能,未来中国西安厂也会加入3-bit V-NAND flash芯片的量产行列。

BusinessKorea 10日引述业界人士报导,3-bit V-NAND flash储存效能更胜于平面(planar)NAND flash,用于SSD可提升表现、价格也更有竞争力。三星上月初已在首尔近郊的华城厂(Hwaseong)量产3-bit V-NAND flash,但是由于华城主要生产平面NAND flash, V-NAND芯片每月产量不到10万片。

为提高3-bit V-NAND flash供应量,据了解三星中国西安厂也着手准备量产,外界预期西安厂会在明年5、6月投产。西安厂每月生产30万-40万片V-NAND芯片,产能全开时,产量可增至70万片。

目前全球仅有三星有能力量产3D V-NAND flash,外界认为三星技术领先对手两年。该公司预定明年发表搭载3-bit V-NAND flash的SSD。

韩联社报导,三星电子(Samsung Electronics)10月9日宣布量产业界首见的3-bit 3D存储器V-NAND flash芯片,可用于SSD硬盘,提升储存效率。

新品每个记忆单元(cell)皆可储存3 bit数据,之前3-bit技术仅用于平面(planar)NAND flash,如今拓展用途,使用于3D V-NAND flash。新款3-bit 3D芯片采用第二代V-NAND技术,垂直堆栈32层,整合程度比24层芯片高出30%。

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