提升绿色GDP,IGBT市场需求看涨

上网时间: 2014年11月07日? 作者:刘恒? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:IGBT? 绿色GDP?

除了IGBT芯片开发之外,汤孝丹还提到,未来IGBT的开发会根据应用需求而采用更多适合的封装形式,在模块封装上需要更紧凑、易于并联应用,支持更大的电流输出能力,且保持热的快速传递,例如,一些汽车级专用IGBT采用是的底板带Pin-Fin的方案。目前威柏电子的产品开发规划包括适应市场需求的主流封装如ECONODUAL、PrimePACK方案,以及各种电流、电压段需求

的IPM,同时还将加大对三电平IGBT模块及汽车级IGBT模块的研发力度。

新材料功率半导体开发提速

宽带隙半导体材料(如SiC、GaN等)的引入,是近年功率半导体行业内的又一个发展重点。尽管现阶段这一技术开发领域还需要在应用、成本、批量稳定性等方面做出更大的努力,但大多数业内人士认为,随着各大厂商纷纷制定出这类新型功率器件的量产时间表,也标志着新材料功率半导体的研发已取得了突飞猛进的成就,越来越多的新材料功率器件将在电力电子行业中扮演更为重要的角色。“新型半导体材料的应用意味着个人电脑、平板电视、服务器和电信系统所采用的开关电源可降低50%的能耗,并可让光伏逆变器变得更加紧凑,成本效益更高。而能够实现能耗减半效果的关键点是采用新型的半导体材料,如碳化硅(SiC)与硅基氮化镓(GaN-on-Si)等,凭借这些材料的电子属性可以设计出紧凑且高效的功率电子电路。”于代辉说道。

目前,英飞凌已在其JFET和600V至1700电压等级的二极管中使用了碳化硅材料。这些功率半导体主要用于个人电脑或电视的开关电源系统以及电机驱动中,今后此类半导体还可能在光伏逆变器设计中占据重要地位。另外,在德国联邦教研部的资助下,由英飞凌牵头管理的“NeuLand”研究项目正在积极开展之中,通过该项目,英飞凌将对功率半导体器件和碳化硅及氮化镓基组件的生产流程展开研究,各合作公司也将在涵盖价值创造链的各环节技术上进一步提高专业水准,最终促进对碳化硅和氮化镓基功率器件在可靠性、使用寿命和制造成本方面的深入开发。

屈兴国同样指出,SiC碳化硅材料取代Si硅材料的IGBT产品将是今后各厂商努力研发的重要方向。目前东芝已开发出1700V、3300V内置SiC二极管的混合型模块IEGT,并且1700V产品系列已经投入量产,所有IEGT模块产品从芯片加工到封装等所有工序都是在日本完成。

另据悉,伴随着下一代产品利用新材料应对多元化市场需求的发展趋势,东芝将为高电压、高频率领域推出碳化硅(SiC)器件,为超高频率应用领域推出氮化镓(GaN)功率器件,以及为白色LED市场推出硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺技术,以进一步增强在未来市场上的竞争力。

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