把握市场脉搏,新型存储器蓄势待发

上网时间: 2014年11月05日? 作者:刘恒? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:新型存储器? 新型存储器技术? 存储器市场脉搏?

随着微处理器主频迅速发展到目前的4GHz以上,并由单核转向多核;同时网络传输速率正迈向更高速的40Gbit/s和100Gbit/s,存储器的性能提升却远落后于摩尔定律,成为了计算机系统中的性能“瓶颈”,严重制约了计算、通信等领域的发展,也促使人们努力去探索更多的新型存储器件。这其中就包括磁阻内存(MRAM)、相变内存(PCRAM/PCM)、铁电随机存取内存(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM)等等,它们各有各的应用特点,可担任不同的功能角色。尤其是FeRAM存储器,由于其在需要非易失性、高可靠性、高安全性、高速写入、低功耗、高读写耐久性和抗辐射性等综合性能的应用领域中表现出众,因而得到了市场的一致好评,产品开发速度也相对较快。

FeRAM应用优势明显

对于FeRAM铁电随机存取内存的目标市场,赛普拉斯(Cypress)半导体公司中国区高级市场工程师林海平归纳道:“总的来说,FeRAM主要适用于系统掉电时需要快速、可靠地存储系统关键数据,并对存储器的擦写次数有特殊要求的应用场合,如多动能打印机、工业控制与自动化系统、穿戴式医疗设备、测试测量设备、智能表、流量表、航空航天军工以及汽车电子等领域。”

把握市场脉搏,新型存储器蓄势待发_《国际电子商情》赛普拉斯(Cypress)半导体公司中国区高级市场工程师林海平_1
赛普拉斯(Cypress)半导体公司中国区高级市场工程师林海平

与现有的存储器相比,FeRAM既具有SRAM快速读写的特性,又具有EEPROM、FLASH掉电数据不会丢失的优点;并且相比于EEPROM和FLASH,FeRAM还具备几乎无限次擦写的使用寿命,而EEPROM的擦写次数大概只有100万次、FLASH也只在10万次左右。

“在以往的产品开发过程中,大量的数据采集对于工程师来说一直是件头疼的事情,数据需要不断地高速写入,传统的存储技术如EERPOM、FLASH的写入寿命和读写速度往往不能满足其要求。作为新一代存储器技术,FeRAM则可以帮助用户解决这些问题,因此被广泛应用在仪器仪表、工业控制、汽车电子等众多行业市场上。”富士通半导体(上海)有限公司高级产品工程师伍宏杰说。

据有关专业调研机构的统计,2014年全球FeRAM整体市场的规模约为4.9亿美元,且至2018年,该市场每年将以平均10%的速度增长。大多数业内人士认为,FeRAM存储器市场仍在不断发展与演变的过程中,在产品开发上的重要任务是实现更佳的产品性价比、更大的产品容量,以及更低的工作电压与功耗,伴随着FeRAM应用市场的逐渐成熟,其将有很大机会替代相当一部分EEPROM 与FLASH的市场。

对此,ROHM相关负责人也同样指出,FeRAM存储器现阶段市场的不断扩大以及向新应用领域的扩张是可以预见的。相对于FLASH等已有的非易失存储器来说,FeRAM存储器拥有100万倍以上的重写次数,重写速度大约为150n秒,主要针对的是车载导航和车载音响等车载辅助设备、智能电表等工业设备、复印机等办公设备,以及电视会议系统和照相机等消费电子设备市场,用于平时获取原始数据及紧急备份等用途。凭借着现有非易失存储器所无法实现的重写次数和重写速度,FeRAM存储器可以达成对应用的最优化,从而对整体系统的成本控制做出贡献。

本文下一页:市场范围不断向外拓展

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