射频器件大变革,纯CMOS能否取代GaAs工艺?

上网时间: 2014年11月04日? 作者:李坚? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:RF射频CMOS工艺? 砷化镓工艺? 射频前端技术?

随着移动终端的迅速发展,类似于WIFI、LTE对射频前端的技术要求也越来越高,而包括功率放大器、天线开关、低杂讯放大器等射频元件所涵盖的频段处理通道也比以前更多,这种情况下越来越多的射频元件厂商在寻找更高性价比的方案。

目前,PCBA上大部分的器件都可以使用硅来制造,只有射频部分没有办法使用,主流都是采用砷化镓(GaAs)的工艺来制造。然而由于砷化镓工艺所需要的材料比较稀缺,不管是材料成本和制造成本都比较高,对于生产线的要求也很高。据了解,最近4G LTE的PA缺货,主要就是由于用砷化镓工艺受材料的限制,产能无法满足。

射频器件大变革,纯CMOS能否取代GaAs工艺?_《国际电子商情》_1

根据调研机构的数据,到2013年全球采用硅工艺制造的IC产品收入达到430亿美金,而砷化镓工艺则小于10亿美金。拓扑产业研究院预计,至2016年CMOS功率放大器的市占率将逐步提升到15~20%。

射频器件大变革,纯CMOS能否取代GaAs工艺?_《国际电子商情》_2

此外,华为预测到2025年,物联网的整个市场规模可以达到1千亿美金,规模越大,对产品的成本要求也越高。

思科则预测2020年整个物联网市场会到500亿美金,意味着500亿个左右的Device。这样就是说每一个Device的射频前端成本是不能超过1个美金的。如果要系统产品的价格低于一个美金,意味着射频前端的成本要非常非常低。现在市面上,一个砷化镓的射频前端在物联网上的应用大概是8~9毛,要实现这一目标只有想办法把射频前端降下来。

本文下一页:纯CMOS工艺优势明显极大降低成本

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