FinFET大比拼:Intel微构架对决IBM低功耗

上网时间: 2014年10月24日? 作者:R. Colin Johnson? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:14奈米FinFET? FinFET制程技术? 英特尔3D?

业界主要的半导体制造商与晶圆代工厂一直在努力打造足以与英特尔(Intel)竞争的 3D FinFET ,试图挑战这个多年来一直由英特尔主导的领域。而长久以来能与英特尔相抗衡的也只有IBM了,不过,该公司最近刚签署一项协议,将旗下晶圆厂拱手卖给GlobalFoundries (据The Envisioneering Group研究总监Rick Doherty指出,GlobalFoundries才刚取得三星 FinFET 制程技术授权)。此外,台积电(TSMC)、AMD、飞思卡尔(Freescale)以及其他公司也宣称紧随英特尔与IBM的脚步,但尚未经证实。

在此背景下,即将于12月15-17日在美国旧金山举行的“IEEE国际电子组件会议”(IEDM)上针对 14nm FinFET 设计展开的“技术对决”(dueling technologies)议程,看来即将成为一场激烈的技术论战。“IEEE采用技术对决一词正恰如其份”,Doherty表示,“参与IEDM的工程师们将会对于IBM与英特尔的惊人技术进展感到赞叹。”

FinFET大比拼:Intel微构架对决IBM低功耗_《国际电子商情》相较于前一代技术制程,英特尔14nm FinFET在晶体管闸极、硅鳍与互连尺寸方面均大幅缩减三分之一以上。_1
相较于前一代技术制程,英特尔14nm FinFET在晶体管闸极、硅鳍与互连尺寸方面均大幅缩减三分之一以上。(来源:英特尔)

Envisioneering认为,即将在IEDM上披露的IBM FinFET 技术细节倾向于支持已经整合于GlobalFoundaries 14nm制程的三星/GlobalFoundaries FinFET 技术。

“GlobalFoundaries将在IEDM上强调IBM芯片技术所具有的高密度内存、可扩展的功率预算以及600mm2的SoC等优势,”Doherty指出,“而且还可能提供给更广大GlobalFoundaries客户。然而,这些技术是否会在三星的晶圆厂打造或成为GlobalFoundaries的其他FinFET替代技术,目前仍不得而知。”

FinFET大比拼:Intel微构架对决IBM低功耗_《国际电子商情》IBM的3D FinFET架构以FD-SOI技术为基础,不仅保留SOI优于平面技术的优点,还具备结构隔离、无掺杂、低功耗与低电压作业的特性,据称可实现更简单的制程。_2
IBM的3D FinFET架构以FD-SOI技术为基础,不仅保留SOI优于平面技术的优点,还具备结构隔离、无掺杂、低功耗与低电压作业的特性,据称可实现更简单的制程。

(来源:IBM)

本文下一页:英特尔与IBM的14nm FinFET技术哪家强?

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