英飞凌新增650V RC-H5器件扩展其逆导软开关IGBT 产品组合

上网时间: 2014年05月22日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:650V RC-H5器件? 逆导软开关IGBT 产品组合?

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之,这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

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650V RC-H5

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。这款新器件具有更好的EMI特性,所需滤波电路更少,对各类的开关设计都有极大的好处。它还可优化热性能,在175°C的最高结温(芯片正常工作的环境温度)下进行无故障操作。

英飞凌科技股份有限公司IGBT分立器件营销总监Roland Stele指出:“在所有家用电器中,电磁炉具有极大潜力,可为人们节省更多能源消耗,为保护地球环境做出贡献。凭借新推出的分立式RC-H5 650V器件,英飞凌将为家用电器提供更丰富的产品,促使我们的客户研发出更可靠更节能的系统。”

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