三星位于西安的半导体工厂正式投产

上网时间: 2014年05月14日? 作者:日经中文? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星西安工厂? 三星半导体工厂? NAND闪存?

韩国三星电子日前宣布,位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术,生产用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)。三星电子希望在IT(信息技术)设备生产基地聚集的中国,构建可灵活供应作为基础部件的半导体的体制,以提高针对东芝等竞争厂商的竞争力。

  三星在西安的工厂的总建筑面积为23万平方米,占地114万平方米。于2012年9月开工建设。最初投资金额为23亿美元。产能尚未公开。将根据市场情况等考虑增设生产设备,计划总投资额最多为70亿美元。由三星的全资子公司运营。

  该工厂将生产垂直叠放存储元件的3D结构半导体。三星领先其他公司于2013年在韩国华城工厂率先导入了该项技术。电路线宽为10纳米级(一纳米为十亿分之一米)。据称,与平面型NAND闪存相比,3D型NAND闪存不仅写入速度更高,耗电量也大幅减小。

  三星此前已在韩国和美国德克萨斯州设立半导体工厂,这是三星在第三个国家建设相关工厂。对在中国设立生产基地的原因,三星方面称,“中国IT领域非常活跃,全世界V-NAND芯片有一半销量在中国消化。在西安投产后,我们将就地供应,希望获得好的成绩”。

  虽然韩国有人指出,在中国建设采用尖端技术的工厂会导致技术外流。不过三星认为,NAND闪存的技术门槛较高,涉足这一业务并非易事,所以不存在技术外流的问题。

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