2014年全球NAND Flash产值将增长13.3%

上网时间: 2013年11月29日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND Flash? NAND Flash产业? DRAM?

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,随着明年NAND Flash产业供需情况稳定,预期价格走势也将持稳,加上NAND Flash终端需求持续向上动能明确。预期明年全球NAND Flash产值将达到美金280亿,较今年成长13.3%,连续两年达成双位数以上的成长。

从供给面来看,受到九月份SK海力士无锡厂火灾过后部分NAND Flash产能挪移至DRAM的影响,2013年全球NAND Flash供给量调整为20,466 百万 16Gb equiv.,年增率亦下修为40.3%。整年度的晶圆投片量(12吋约当)也仅有12.4百万片的规模,较2012年成长3.2%,减缓了原先第四季与明年上半年出现大幅供过于求的情形。同时,预期SK海力士NAND Flash产能也将在明年下半年回升到火灾前的水平,其他各家NAND Flash业者新产能的增加也多落在下半年,因此TrendForce认为明年上半年虽然整体市况还将无可避免地受到需求端传统淡季的影响而呈现供过于求的情形,但市况波动过大的情况将比往年来的舒缓。

2014年全球NAND Flash产值将增长13.3%_《国际电子商情》_1

在制程上的演进上,2014年将开始进入1x奈米以下的竞赛。各家NAND Flash业者的eMMC和SSD也将自明年第一季起开始陆续转进至1x奈米的制程,对于成本结构的持续下滑帮助不少;3D-NAND Flash的产品虽然在今年底开始有厂商陆续推出样本,但3D-NAND Flash在生产良率的提升与效能的改善需要较长的时间,同时在应用端与主芯片与系统整合的验证流程更是如此,因此3D-NAND Flash的量产时间点最快将落在2014年第四季甚至是2015年。综上所述,NAND Flash业者在2014年将持续透过有效控制产出的方式来维系获利能力的策略思维不变,TrendForce认为在制程转进提升产出的边际效应递减下,2014年NAND Flash产出位年增率将仅有36.3%,为五年来新低水平。

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TrendForce预期2014年需求位年增率为37.6%。在随身碟与记忆卡的市场上,明年USB3.0随身碟和SD3.0高速记忆卡的渗透率随着产品成本的有效下降将有所提高,有望刺激消费者的采购需求;eMMC、eMCP和SSD等应用也随着智能手机、平板电脑出货增加而持续走扬。TrendForce认为智能型手机明年出货量将突破10亿支大关,来到11亿6千9百万只的规模、平板计算机(含白牌)也将年增18%,来到2亿1千9百万支,将带动2014年eMMC出货年成长率高达36%。

固态硬盘能够有效提升笔记本电脑与台式电脑效能的产业趋势十分明显,TrendForce认为明年Intel与各家NAND Flash供货商更致力推动标准化固态硬盘模组”M.2”,PC-Client端的固态硬盘将维持持续向上成长。而企业级固态硬盘更是众所瞩目的焦点,来自于云端运算的兴起和智能手机/平板电脑等移动设备带动应用程序(App)风潮,对于服务器应用和储存装置的效能和速度要求日益攀升,因此数据处理中心与全球服务器业者也开始逐渐重视企业级固态硬盘的领域,纷纷提高采购需求。此外今年以来各大硬盘产商如Seagate与Western Digital等也透过自行开发或是企业并购的方式来加强固态硬盘在企业级储存装置的产品完整性。因此TrendForce预期明年固态硬盘的NAND Flash消耗量比重将从今年的13%快速攀升至25%,成长率高于其他NAND Flash终端需求。

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整体来说,TrendForce认为NAND Flash中短期市况难免将受到需求面的淡旺季影响而波动,明年上半年将呈现小幅供过于求的态势。但长期来说,NAND Flash的应用逐渐多元化,从插拔式的U盘与存储卡到系统产品如智能手机与平板电脑,这一两年来更逐步向专业的储存设备迈进,各种终端装置呈现百花齐放的格局,因此预期2014年在产出端业者持续节制产出的情况下,多元化的终端需求将让整体NAND Flash市场以稳健的步伐持续成长,整体供需市况将保持健康的水平。

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  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

  • 什么是NAND Flash
  • NAND Flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

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