FD SOI与FinFET的先进节点之战

上网时间: 2013年11月01日? 作者:Yorbe Zhang? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:FD SOI? SOI技术高峰论坛?

FD SOI的优势到底在哪里?

首先,从SOI的物理结构来看,其硅+绝缘层+硅衬底的形态决定了可以减小器件的寄生电容,减小漏电,从而降低功耗并提高器件的性能。

而FD SOI由于其顶层的硅层厚度减薄至5-10nm,进一步提高了整体的性能,但同时也增加了晶圆的制造难度。

其次,是制造成本。相对于上述的基本原理来讲,这一点更是业界所讨论的热门话题。

图1给出了基于体硅CMOS和FinFET工艺技术的每百万门的成本,清晰的呈现出若采用这些工艺,从20nm节点开始,成本开始出现不降反升的局面。这一点,已得到半导体产业链的广泛认同。

FD SOI与FinFET的先进节点之战_《国际电子商情》图1:体硅CMOS和FinFET成本分析图。_1
图1:体硅CMOS和FinFET成本分析图。

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本文下一页:FD SOI的优势到底在哪里?

?第1页:FD SOI满足智能手持设备的需求?第2页:FD SOI的优势到底在哪里?
?第3页:不同工艺节点的晶圆制成品成本分析?第4页:FD SOI和BULK HKMG晶圆成本
?第5页:成本、成本、还是成本?第6页:FD SOI和FinFET的关系
?第7页:3D时代的可持续性??第8页:晶圆制造的难度会有所降低
?第9页:中国代工业的机遇?

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