NAND Flash迈入3D时代,2016年席卷半壁江山

上网时间: 2013年10月12日? 作者:Dee Robinson? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND Flash? 快闪存储器? 3D NAND?

随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限,存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。

根据IHS的报告显示,到2017年,全球近三分之二(65.2%)的快闪存储器芯片将采用3D技术,而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将增至5.2%,2015年则将飙升至30.2%。到了2016年这一比例将扩大至49.8%,几乎占整个快闪存储器市场的一半。

“普遍认为采用传统平面半导体技术的NAND flash再经过一代或两代就将达到理论极限,”IHS内存和存储高级分析师Dee Robinson表示。“随着平面印刷技术进一步萎缩,NAND的性能和可靠性将仅适合极低成本的消费性产品。在未来几年,由于NAND厂商被迫开发更高密度和更低价格的产品,因此将会迅速向3D制造转移。”

NAND Flash迈入3D时代,2016年席卷半壁江山_《国际电子商情》_1
全球3D NAND占整个NAND Flash存储器出货量的比例预测(出货量的百分比)

媒体平板和智能手机是促使NAND厂商不断改进其产品的主要驱动力。这些设备要求更高的容量和更便宜的存储内容,包括图片、音乐和视频。

过去,NAND flash厂商采用小型化以增加容量和降低成本。小型化是指通过一系列技术缩小NAND flash单元,以实现在每片晶圆上增加比特容量。采用3D技术,其重点便由小型化转移到通过分层叠加NAND flash单元以增加密度。这将是把NAND推向下一代的最具经济效益的方式,因为大多数现有的生产设备都可以继续使用,在缩减成本的同时最大化投资回报。

第二页:三星和SK海力士的3D NAND之路

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