IBM筹划flash业务开发蓝图

IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式存储器模组(DIMM)插槽加入NAND flash。该公司并计划在DIMM埠中采用自行设计的控制器芯片。

此外，IBM并加倍扩增去年从Texas Memory Systems公司收购而来的flash控制器设计团队规模。预计在今年年底前，该团队将为其最佳化的储存阵列推出增强版控制器，并搭配东芝NAND芯片共同使用。该公司期望未来版本的控制器能与任何供应商的flash芯片搭配使用。

IBM由收购Texas Memory组成的最新事业部──IBM Flash System副总裁Michael Kuhn分享了该公司在flash业务方面的开发蓝图。

IBM的客户多半都必须「因应各种不同的flash部署模式」，Kuhn说。用途包括插入于SATA的直连式固态硬盘以及硬盘用序列式SCSI介面、搭配Fusion-IO与LSI的PCI Express插槽，以及目前的DIMM 。

Kuhn表示：“我想你将会在2014年时看到flash在DIMM插槽中的应用。明年我们将采用Diablo控制器以及我们自行开发的控制器展开一些工作。”

英特尔(Intel)固态硬盘专家Knut Grimsrud则看淡DIMM插槽应用于快闪存储器的重要性。他指出，该介面并未能比PCI Express提供更好的速度与延迟特性比，因而为flash芯片的存取时间带来一些瓶颈。此外，除非flash DIMM支持随机存取，否则在应用上十分有限。

IBM的Texas Memory产品系列则采取不同的方法，专注于更高的容量与更广泛的系统管理功能──在Fibre Channel或Infiniband 储存网路上的1U机箱上插入高达20TB的flash 。Kuhn指出，IBM未来还将提供可插入于FCoE网路的产品系列。

新的3级单元flash芯片类型也为flash子系统开启了一些新选择。Kuhn预测， IBM Research与其它单位正开发的相变存储器将在2016年上市。

同时，IBM在flash领域面临的竞争来自于EMC等现有的大型供应商，以及新创公司，如Violin Memory等。此外，NetApp也预计在明年推出自家flash阵列。

相关阅读：
? Q2 NAND Flash品牌厂商营收排名
? 移动存储器市场一片晴好，2014技术革新成制胜关键
? NAND FLASH技术将成DRAM市场制胜关键